Современная микроэлектроника - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Первым здоровается тот, у кого слабее нервы. Законы Мерфи (еще...)

Современная микроэлектроника

Cтраница 1


Современная микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, при которой каждый элемент схемы формируется отдельно в полупроводниковом кристалле. При этом в основе создания ИМС лежит принцип элементной ( технологической) интеграции, сопровождающейся микроминиатюризацией элементов ( активных и пассивных) микросхемы. В ИМС можно выделить области, представляющие собой активные ( диоды, транзисторы) и пассивные ( резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементы. В интегральной микроэлектронике сохраняется главный принцип дискретной электроники, основанной на разработке электрической схемы по законам теории цепей. Этот принцип неизбежно связан с ростом числа элементов микросхемы и межэлементных соединений по мере усложнения выполняемых ею функций.  [1]

Современная микроэлектроника развивается в трех основных направлениях, связанных с созданием и совершенствованием гибридных интегральных микросхем, полупроводниковых интегральных микросхем и функциональных устройств.  [2]

Современная микроэлектроника представляет собой научно-техническое направление, решающее проблему создания высоконадежных и микроминиатюрных электронных устройств, выпуск которых в условиях массового производства должен быть рентабельным и экономически целесообразным. Развитие микроэлектроники, конечной целью которой является разработка законченного устройства, выполняющего определенную радиоэлектронную функцию, стало возможным благодаря достижениям в области фундаментальных и прикладных наук.  [3]

Современная микроэлектроника располагает аналоговыми перемножителями, выполненными в виде отдельных микросхем.  [4]

Современная микроэлектроника является наиболее ярким примером того, как взаимосвязь и постепенное слияние науки и технологии привнесли в нашу повседневную жизнь большие перемены, которые мы называем информационной средой.  [5]

Современная микроэлектроника достигла такого уровня развития, когда надежность ИМС в процессе эксплуатации характеризуется интенсивностью отказов Я, 10 - 8 - IQ IO 4 i j - jpH таком уровне надежности для испытаний практически невозможно сформировать объем выборки, обеспечивающий накопление статистически достоверной информации о числе отказов в течение приемлемого времени натурных испытаний.  [6]

Современная микроэлектроника, основанная на использовании интегральной планарной технологии, позволяет в едином технологическом цикле на основе кремниевой монокристаллической структуры создавать мозаики фото приемных элементов, работающих независимо друг от друга. Мера этой независимости характеризуется коэффициентом перекрестных помех, являющимся функцией топологии мозаики.  [7]

Современная микроэлектроника, представленная пленочной электроникой и монолитными интегральными схемами, по крайней мере в части диодов и транзисторов, являющихся основными и неотъемлемыми элементами устройств этого типа, основывается также на полупроводниковой электронике.  [8]

Современная микроэлектроника является интегральной.  [9]

Современную микроэлектронику и микрорадиотехнику с ее микропроцессорами и интегральными элементами отделяет от ламповой и проводной радиотехники огромная научно-техническая дистанция.  [10]

11 Фигурная обработка поверхности без диффузора ( а и с диффузором. [11]

Прогресс современной микроэлектроники во многом зависит от развития метода фотолитографии, являющегося одним из основных в изготовлении больших и интегральных схем. Существующие в настоящее время способы получения фотошаблонов приводят к образованию значительного количества дефектов, возникающих на различных стадиях фотолитографического процесса, а сам процесс отличается длительностью изготовления фотошаблонов и - многоступенчатостью.  [12]

Успехи современной микроэлектроники позволяют создавать многоэлементные фотоприемники, предназначенные для решения самых разнообразных задач съема и обработки информации. Однако в настоящее время используются главным образом сканируемые фотоприемники телевизионного типа - матрицы с последовательным поэлементным опросом. Организация такого типа опроса сложилась исторически и объясняется тем, что полупроводниковые приборы сначала развивались как прямые аналоги телевизионных вакуумных трубок. Использование формирователей последовательного действия ведет к столь большому потоку информации ( 108 бит / с), что его переработка в реальном масштабе времени затруднительна.  [13]

Для современной микроэлектроники характерно два направлег ния: полупроводниковое и пленочное. Полупроводниковые интегральные схемы представляют собой конструкцию, объединяющей. Пленочные интегральные схемы получаются нанесением пленок различных мат риалов на изоляционную подложку.  [14]

Основу современной микроэлектроники составляют полупроводниковые интегральные микросхемы. В настоящее время различают два класса полупроводниковых интегральных микросхем: биполярные и МДП.  [15]



Страницы:      1    2    3    4