Cтраница 2
Развитие современной микроэлектроники выдвинуло проблему широкого использования усилителей с непосредственной связью между каскадами ( усилителей постоянного тока), так как изготовление конденсаторов и трансформаторов межкаскадной связи в интегральных микросхемах затруднительно или практически невозможно. [16]
Развитие современной микроэлектроники было бы немыслимо без создания специальных полимеров, обладающих высокой эластичностью и стабильностью размеров при температурах до 300 С. [17]
Для современной микроэлектроники характерно два направления: полупроводниковое и пленочное. Полупроводниковые интегральные схемы представляют собой конструкцию, объединяющую в одном кристалле значительное число элементов. Последние создаются путем локального воздействия на участки полупроводникового материала. Пленочные интегральные микросхемы получают нанесением пленок различных материалов на изоляционную подложку. Основными задачами в области пленочной технологии являются поиск материалов для пленочных элементов, обладающих хорошими электрофизическими характеристиками и надежной сцепляемо-стью с подложкой, а также создание высокопроизводительного оборудования для получения и контроля пленочных элементов. [18]
Развитие современной микроэлектроники позволило создать интегральные регуляторы напряжения ( ИРН), размеры и масса которых позволяют встраивать их в генераторы. [19]
В современной микроэлектронике широко используются двухтактные усилители мощности без применения трансформаторов. Такие усилители имеют небольшие габариты и массу, повышенную надежность и просто реализуются в виде ИМС. [20]
В современной микроэлектронике широко применяются полупроводниковые материалы и структуры, на основе которых разрабатываются и изготавливаются различные полупровэдниковые приборы и микросхемы. Измерение характеристик полупроводниковых материалов важно, так как дает исходную информацию для конструирования полупроводниковых приборов и обеспгчивает как лабораторный, так и промышленный контроль их качества. По сравнению с ранним периодом развития технологии производства кремниевых приборов, когда измерение характеристик полупроводниковых материалов осуществляли четырехзондовым методом, в настоящее время определение большого числа характеристик материалов и структур проводят более совершенными методами. По мере развития полупроводниковой микроэлектроника возникла необходимость изучения таких характеристик материала, как профили легирования, степень компенсации примесей, концентрация глубоких уровней и др. Методы описания свойств полупроводниковых материалов должны давать полную информацию о свойствах материалов. В этом отношении важным является установление взаимосвязи между измеряемыми параметрами полупроводникового материала, особенно времени жизни неосновных носителей заряда, и характеристиками обнаруживаемых химических примесей, глубоких уровней и других несовершенств кристаллической решетки. [21]
В технологии современной микроэлектроники делаются попытки использования ряда других диэлектрических материалов в первую очередь для пассивирования поверхностей подложек и формирования двухслойных диэлектриков в МОП-приборах. [22]
Главным достижением современной микроэлектроники являются разработка и массовый выпуск интегральных микросхем ( ИМС), представляющих собой функционально законченные и конструктивно оформленные интегральные узлы аппаратуры. Внедрение микроэлектроники в большинстве случаев влечет за собой изменение самих принципов построения радиоэлектронной аппаратуры ( РЭА), что требует совершенствования подготовки и переподготовки инженерных кадров, особенно в области микроэлектроники. [23]
Крупнейшим достижением современной микроэлектроники является разработка и организация промышленного выпуска интегральных микросхем ( ИМС) - функционально законченных и конструктивно оформленных блоков и узлов. Являясь основными изделиями микроэлектроники, ИМС широко используются для построения радиоэлектронной аппаратуры самого различного назначения и постепенно вытесняют устройства на дискретных компонентах. [24]
Успехи в развитии современной микроэлектроники позволяют в значительной степени улучшить основные параметры радиоприемников. Замена целых функциональных узлов и блоков радиоприемника интегральными микросхемами, замена конденсаторов переменной емкости варикапами и варикапными матрицами, применение сенсорных устройств вместо механических переключателей диапазонов позволяют по-новому решать вопросы конструирования радиоприемных устройств. Использование новых методов конструирования приемников позволяет, в свою очередь, решать такие вопросы, как бесшумная настройка приемников, автоматическое регулирование полосы пропускания при изменении уровня входных сигналов, программное управление радиоприемником и целый ряд других проблем, связанных G улучшением качественных показателей и условий эксплуатации радиоприемных устройств. [25]
Принципиальные - ограничения современной микроэлектроники, в основе которой лежит способ изготовления дискретных электронных компонентов интегральными методами, могут быть преодолены при переходе к физическим принципам и технологии функциональной микроэлектроники, использующей для хранения и обработки информации индивидуальные квантово-механические процессы в материальных объектах. При этом совершается естественный переход в область более высокочастотной части спектра электромагнитных колебаний. Однако можно ожидать, что функциональная микроэлектроника позволит значительно улучшить возможности электронных систем переработки информации, использующих электрические колебания радиотехнического диапазона. [26]
С технологической точки зрения современная микроэлектроника является интегральной - это означает, что все элементы микросхемы, как правило, изготавливаются в общем технологическом процессе и лишь в отдельных случаях используются негрупповые операции. [27]
Дан общий обзор проблем современной микроэлектроники: технологии изготовления и конструирования приборов, техники проектирования заказных ИС. Изложены наиболее важные направления дальнейшего развития микроэлектроники, в частности создание новых технологических процессов, полупроводниковых приборов и ИС. [28]
Создание электронных вольтметров на базе современной микроэлектроники позволяет получать малогабаритные и экономичные приборы. [29]
В приборах серии КС1 широко применены современная микроэлектроника, интегральные схемы, полупроводниковые элементы, бесконтактные модуляторы, усилители и другие элементы, построенные на интегральных схемах. В усовершенствованных приборах серии КС1 значительно расширены функциональные возможности и существенно расширена область их применения. [30]