Комплексная миниатюризация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Человеку любой эпохи интересно: "А сколько Иуда получил на наши деньги?" Законы Мерфи (еще...)

Комплексная миниатюризация

Cтраница 2


Известны также пути и методы развития этого процесса, получившие название комплексной миниатюризации, подразумевающей оптимальное решение задачи выбора массы, габаритов, энергопотребления, надежности и стоимости аппаратуры, создаваемой на основе изделий микроэлектроники. В отдельных случаях, когда требования по какому-то отдельному параметру доминируют над другими, отступают от принципов комплексной миниатюризации и пользуются правилом ограничивающих неравенств. Например, это относится к требованиям высокого быстродействия и точности, вынуждающих применять новые материалы и прецизионную технологию, не считаясь с затратами и некоторым ухудшением других показателей.  [16]

Решение старой проблемы тирании количеств соединений, вновь возникшей в условиях комплексной миниатюризации, основано на том что при проектировании радиоэлектронных функциональных узлов и устройств стремятся сосредоточить максимально возможное число связей в пределах интегральных микросхем, снижая тем самым число соединений между микросхемами. Наибольший эффект получается от разработок и применения серий БИС и СБИС.  [17]

Книга посвящена конструкторскому обеспечению эффективности производства и качества радиоэлектронной аппаратуры на основе эксплуатационных требований, комплексной миниатюризации и стандартизации. Детально обсуждены вопросы конструирования сборочных единиц низших и высших уровней. Приведена оценка качества конструкции по показателям.  [18]

Непрерывное усложнение функций, ( выполняемых радиоэлектронной аппаратурой, ужесточение требований к ее габаритам, надежности и стоимости затрудняют решение проблемы комплексной миниатюризации.  [19]

Совершенствование радиоэлектронной аппаратуры в настоящее время связано с широким применением элементов микроэлектроники, заменой механических и электромеханических узлов и блоков электронными с комплексной миниатюризацией.  [20]

Из этого следует, что диспропорции должны быть устранены совершенно новыми методами компоновки монтажа и в целом конструирования, которые могут базироваться на принципах комплексной миниатюризации.  [21]

Если на каждом из этих этапов выполняются требования и обеспечивается стремление к использованию ИМС и БИС высокой степени интеграции, осуществляется переход от интеграции схем к интеграции аппаратуры, радиоэлектронных комплексов и систем, то это и будет означать осуществление принципа комплексной миниатюризации РЭА.  [22]

В настоящее время в радиоэлектронной аппаратуре широко применяют транзисторы и микросхемы, открывающие большие возможности для ее миниатюризации. Однако комплексная миниатюризация невозможна без существенного снижения габаритов и массы вторичных источников питания и, в частности, сглаживающих фильтров.  [23]

Пространственный характер радиотехнических систем оказал большое влияние также на унификацию узлов и деталей, используемых в современной бортовой аппаратуре. Это позволяет осуществить ее комплексную миниатюризацию при использовании в качестве элементной базы гибридных и твердых микросхем с высоким уровнем интеграции.  [24]

Основные параметры и характеристики ВИП следует рассматривать с учетом особенностей разработки и эксплуатации, технических средств современных ЭВМ. Поскольку ВИП содержит довольно большое число разнотипных компонентов с различными конструктивными и технологическими особенностями, комплексная миниатюризация таких ВИП все еще остается довольно трудной задачей.  [25]

Недостатком существующей конструкторской иерархии является уменьшение плотности компоновки из-за потерь объемов при корпуси-ровании ИС, малая эффективность использования объема узлов с унифицированным печатными платами, наличие разъемов и узлов механического крепления. Дальнейшее совершенствование конструкций РЭА, в том числе и увеличение плотности компоновки, возможно при реализации комплексной миниатюризации, в первую очередь, увеличением доли микроэлектронных узлов в конструкции РЭА и переходе от интеграции узлов к интеграции комплексов.  [26]

Известны также пути и методы развития этого процесса, получившие название комплексной миниатюризации, подразумевающей оптимальное решение задачи выбора массы, габаритов, энергопотребления, надежности и стоимости аппаратуры, создаваемой на основе изделий микроэлектроники. В отдельных случаях, когда требования по какому-то отдельному параметру доминируют над другими, отступают от принципов комплексной миниатюризации и пользуются правилом ограничивающих неравенств. Например, это относится к требованиям высокого быстродействия и точности, вынуждающих применять новые материалы и прецизионную технологию, не считаясь с затратами и некоторым ухудшением других показателей.  [27]

В настоящее время развивается пятое поколение РЭС на базе сверхбольших ИС ( СБИС) и функциональных компонентов ( ФК), основанных на использовании физических процессов в твердом теле и заменяющих обычные электрорадиоэлементы ( ЭРЭ), в том числе полупроводниковые и пленочные. При этом решается задача создания высокопроизводительных сложных РЭС высокой интеграции ( интегральных радиоэлектронных устройств) на основе микроэлектроники методами комплексной миниатюризации.  [28]

Одной из основных целей комплексной миниатюризации является создание на базе микроэлектронной техники такого радиоэлектронного комплекса высокой степени интеграции, который был бы так нивелирован по функциональной и конструктивной сложности, что ни одно из его устройств не уступало бы другому более чем в 10 раз по удельному показателю качества конструкций, например в единицах кг / функция.  [29]

Перспективу развития конструирования необходимо рассматривать с учетом главной цели этого процесса - создавать малогабаритную, высокоэффективную и надежную РЭА, производство и эксплуатация которой требуют ограниченного расхода трудовых, энергетических и материальных ресурсов. Для достижения этой цели требуется решить три основные задачи современного конструирования РЭА: комплексной миниатюризации, охлаждения и повышения технологичности.  [30]



Страницы:      1    2    3