Емкость - нагрузка
Cтраница 1
Емкость нагрузки должна быть не более 1000 пФ; при емкости нагрузки более 1000 пФ между выходом микросхемы и емкостной нагрузкой необходимо включать резистор сопротивлением 25 Ом. [1]
Емкость нагрузки должна быть не более 1 000 пФ; при емкости нагрузки более 1000 пФ между выходом микросхемы и емкостной нагрузкой необходимо включать резистор сопротивлением 25 Ом. [2]
Емкости нагрузки Св1 2 должны быть оговорены заданием или выбраны в процессе расчета. Режимы работы первой и второй ламп чаще всего выбирают одинаковыми. [3]
 |
Емкостной зарядный ток.| Проводимость в КМОП-схеме в режиме класса А. [4] |
Емкость нагрузки образуется как за счет емкости проводников ( паразитная емкость), так и за счет входной емкости дополнительной логической схемы, подключенной к выходу. Фактически, поскольку сложный чип на комплементарных МОП-транзисторах содержит много вентилей, каждый из которых нагружен на некоторую внутреннюю емкость, в любой КМОП-схеме имеется не-который ток стока, который участвует в переходных процессах, даже если сам чип не подключен ни к какой нагрузке. Неудивительно, что этот динамический ток стока пропорционален скорости, с которой происходит этот переходный процесс. [5]
Емкость нагрузки СВ1 дает возможность выделить постоянную составляющую при разряде емкости на сопротивление R7S в тот полупериод, в котором величина тока уменьшается при разбалансе измерительного моста. [6]
Емкость нагрузки не только уменьшает коэффициент усиления усилителя на высоких частотах. [7]
Сн-суммарная емкость нагрузки, tcn - заданное время спада выходного импульса. [8]
Емкость нагрузки слоя специфична для различных веществ и должна быть определена на модельном опыте. При перегрузке могут образовываться хвосты и происходит размытие в направлении, перпендикулярном направлению движения. Как правило, на пластинке размером 20 х 20 см слой толщиной 1 мм разделяет 5 - 25 мг / см смеси компонентов. [9]
 |
Конструкции корпусов микросхем. [10] |
Емкость нагрузки Ся - максимальное значение емкости, подключенной к выходу интегральной микросхемы, при котором обеспечиваются заданные частотные и иные ее параметры. [11]
 |
К расчету симметричного триггера с анодно-сеточны-ми связями. и дополнительным источником смещения. [12] |
Емкость нагрузки Сн в это выражение подставляется большая из заданных. Значения остальных емкостей ориентировочно можно принять С 20 - 4 - 100 пф, См 10 - г 15 пф, Сак - 1 4 пф. [13]
Определить емкость нагрузки, если выходной инвертор работает в ре-жиме: Un 15 В; t / CM 25 В; ( Упор 5 В; U, гаах Ua; UBM 10 В; выкл 0 3 - Ю-6 с; 025 с 1 3 10 - е д / В2; т 60 С; La 10 мкм. [14]
Кроме емкости нагрузки С, обычно присутствует также емт кость источника питания Си. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5