Емкость - нагрузка
Cтраница 4
В момент t4, когда емкость нагрузки перезарядится на величину входного перепада, транзистор вновь открывается и ток достигает статического значения. [46]
Одновременно с первым переходным процессом емкость нагрузки Сн1 и ускоряющий конденсатор С вместе с паразитными емкостями монтажа и ламп разряжаются через открывшуюся лампу. [47]
На рис. 3.9 изображена и емкость нагрузки С, которая в некоторых случаях может быть подключена к выходу усилительного каскада. [48]
Сн - активное сопротивление и емкость нагрузки, включенные параллельно. Для возможности существования режима N эта величина должна быть положительной. [49]
Емкость С0 включает в себя емкость нагрузки Сн и емкость монтажа См: С0 Сн См и в зависимости от характера нагрузки мбжет достигать десятков пикофарад. [50]
Диод VD8 обеспечивает быструю разрядку емкости нагрузки через VD8 и VT2 с увеличением тока на базе VT3, что способствует его быстрому переключению при переходе от высокого к низкому уровню выходного напряжения. В отличие от типовой схемы ТТЛ с диодами Шотки схема типа FAST включает диоды VD9 - VD11 и транзистор VT7, которые кратковременно обеспечива-вают низкий импеданс на базе транзистора VT3 при переходе от низкого к высокому уровню выходного напряжения. При этом уменьшается время его выключения. [51]
Диод VD10 обеспечивает быструю разрядку емкости нагрузки, когда транзистор VT9 открыт. Благодаря этому фронт и спад импульсов оказываются примерно одинаковыми. [52]
Диод VD8 обеспечивает быструю разрядку емкости нагрузки через VD8 и VT2 с увеличением тока на базе VT3, что способствует его быстрому переключению при переходе от высокого к низкому уровню выходного напряжения. В отличие от типовой схемы ТТЛ с диодами Шотки схема типа FAST включает диоды VD9 - VD11 и транзистор VT7, которые кратковременно обеспечива-вают низкий импеданс на базе транзистора VT3 при переходе от низкого к высокому уровню выходного напряжения. При этом уменьшается время его выключения. [53]
Если в (4.90) учесть влияние емкости нагрузки Сш то им можно воспользоваться при анализе эмиттерного повторителя в области верхних частот, поскольку емкости Сэ и Ск в этом выражении также учитываются. [54]
Выходная емкость С2 включает в себя емкость нагрузки и монтажную емкость. [55]
 |
Эпюры напряжения и токов в схеме блокинг-генератора. [56] |
Сн С / п а - емкость нагрузки, приведенная к первичной обмотке. [57]
 |
ЛС-цепь при учете внутреннего сопротивления источника и емкости нагрузки ( а и временные диаграммы, поясняющие процессы в ней ( б. [58] |
Существенное влияние на процесс укорочения оказывает емкость нагрузки Сн. Далее uR ( t) увеличивается до некоторого максимального значения UKmUu ( рис. 2.14 6) и затем уменьшается до нуля. [59]
Лс, Сс - сопротивление и емкость нагрузки детектора, Ла - анодная нагрузка, Са - емкость, шунтирующая В Ч составляющую анодного тока. Лс и емкость Сс выбираются так же, как элементы нагрузки диодного детектора. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5