Емкость - электронно-дырочный переход
Cтраница 1
Емкость электронно-дырочного перехода может с успехом использоваться в системах подстройки частоты в качестве элемента управителя. Лучшие результаты получаются при использовании запертых коллекторных переходов плоскостных транзисторов. [1]
Емкости электронно-дырочных переходов и влияние эффекта накопления носителей для триодов оцениваются так же, как в случае приборов с одним переходом. [2]
Емкость электронно-дырочного перехода зависит от его площади, толщины области объемного заряда и приложенного к переходу напряжения. Кроме того, различное распределение примесей дает неодинаковую величину емкости. [3]
Использование нелинейных свойств емкости электронно-дырочного перехода дает возможность существенно увеличить коэффициент преобразования. Диоды, работающие на этом принципе, называют варакторами. Варакторами же часто называют и диоды, предназначенные для параметрического усиления. [4]
 |
Структура эпитаксиального ( а и пленарного ( б транзисторов. [5] |
На частотные свойства транзисторов оказывают влияние емкости электронно-дырочных переходов. Диффузионная емкость эмиттерного перехода достигает у некоторых транзисторов сотен пикофарад, барьерная емкость коллекторного перехода составляет 1 0 н - 50 пф. [6]
 |
Полупроводник электронного типа ( / со слоями изолятора ( 2 и металла ( 3 и энергетическая диаграмма при наличии обратного смещения. [7] |
Поэтому емкость рассматриваемого перехода в отличие от емкости обычного электронно-дырочного перехода не шунтируется омическим сопротивлением. [8]
 |
Распределение заряда доноров и акцепторов в переходе ( а. зависимость величины барьерной емкости от обратного напряжения ( б. [9] |
Способность / 7-перехода накапливать электрические заряды оценивается величиной емкости электронно-дырочного перехода. [10]
 |
Эквивалентная схема для определения времени задержки ts. [11] |
В переходных процессах при включении диодной матрицы основную задержку импульса вносит заряд емкостей электронно-дырочных переходов. [12]
В результате переход ведет себя как конденсатор с той лишь разницей, что у конденсатора заряд сосредоточен на его обкладках, а у электронно-дырочного перехода он имеет объемное распределение ( рис. 19), что дает основание говорить о емкости электронно-дырочного перехода. Эту емкость называют зарядной емкостью перехода. [13]
 |
Пилообразное колебание напряжения на конденсаторе в цепи двухбазового диода.| Эквивалентная схема генератора на двухбазовом диоде. [14] |
Для того чтобы легче перевести обычную схему в твердую, расположим имеющиеся сопротивления на одной прямой. Заменим теперь конденсатор С емкостью электронно-дырочного перехода, а все сопротивления - сопротивлением толщи полупроводниковой пластинки. [15]
Страницы: 1 2