Емкость - электронно-дырочный переход
Cтраница 2
 |
Зависимость емкости переключающего диода от напряжения. [16] |
Выходное сопротивление переключающего диода в запертом состоянии на переменном токе в значительной степени определяется емкостью прибора С. Эта емкость является результирующей для трех последовательно соединенных емкостей электронно-дырочных переходов. [17]
Максимальная мощность рассеяния кремниевых диодов составляет от 0 2 до 0 5 вт в зависимости от площади перехода и величины теплоотвода. Предельная частота выпрямления лежит в диапазоне от 1 до 20 Мгц в зависимости от емкости электронно-дырочного перехода. [18]
Важным показателем качества тиристора является скорость переключения. Как и в транзисторах, ее определяют накопление и рассасывание зарядов в базах и емкостях электронно-дырочных переходов. Из-за более сложной структуры тиристоры существенно уступают по быстродействию транзисторам. [19]
Варикап или полупроводниковая емкость другого типа могут выполнять роль конденсатора контура гетеродина. Тогда Сг является номинальной емкостью контура. Ее величина должна соответствовать номинальной частоте и конструктивно выполненной индуктивности катушки контура. В приложении 8.2 дана таблица, с помощью которой можно построить характеристики зависимости емкости электронно-дырочного перехода некоторых полупроводниковых диодов. [20]
Страницы: 1 2