Cтраница 3
Ко второй группе относятся схемы блоков запаздывания на емкостях схемы, использующие магнитную запись, а также иепре-рывнонцифровые схемы. [31]
Улучшение усилительных свойств каскада со сложной коррекцией обусловлено разделением емкости схемы С0 как бы на две ( фиг. [32]
При использовании резонансного метода на точность измерения влияют шаразитньне емкости схемы. Чем меньше добротность контура, тем менее острой становится резонансная кривая и тем больше будет погрешность измерения. [33]
![]() |
Зависимость напряжения на индуктивности схемы 41 - 3 от величины емкости при г0. [34] |
Из рис. 41 - 5 ясно, что, если емкость схемы меньше некоторого критического значения Скр, система имеет только одно устойчивое состояние. Величина Скр соответствует на рис. 41 - 4 такому наклону прямой /, при котором она касается вольт-амперной характеристики катушки. [35]
![]() |
Типичные диаграммы напряже ний в блокинг-генераторе, работающем. [36] |
Точно описать работу лампы в схеме блокинг-генератора затруднительно из-за влияния емкостей схемы, индуктивности рассеяния трансформатора и отсутствия ламповых характеристик, описывающих работу лампы пр высоких сеточных напряжениях и токах. В связи с этим расчет блокинг-генератора с заданными характеристиками обычно основывается на эмпирических данных. Точные величины длительности импульса, времени нарастания и амплитуды определяются экспериментальным путем. [37]
Улучшение усилительных свойств каскада со сложной коррекцией связано с разделением емкости схемы С0 как бы на две части ( фиг. [38]
![]() |
Форма кривой выпрямленного напряжения при одно-полупериодной схеме выпрямления. [39] |
К - сопротивление объекта измерения, ом; С-суммарная величина емкости схемы, ф; f - частота переменного тока, гц. [40]
![]() |
Распределение потенциала в проводе с распределенным сопротивлением.| Распределение потенциала в проводе с сосредоточенным подавительным сопротивлением. [41] |
Место установки обычных по-давительных сопротивлений приходится выбирать, сообразуясь с емкостями схемы. При использовании же проводов с распределенным сопротивлением задача устранения резонансных явлений решается автоматически. [42]
При анализе переходного процесса в их состав входят напряжения яа емкостях схемы и переходах диодов и транзисторов и токи через индуктивности. Анализ же по постоянному току требует задания в качестве начальных условий напряжений на переходах полупроводниковых приборов и на сопротивлениях схемы. [43]
![]() |
Схемы пьезоэлектрических датчиков. [44] |
Из формулы следует, что на чувствительность датчика большое влияние оказывает емкость схемы С0, увеличение которой уменьшает чувствительность. [45]