Емкость - схема
Cтраница 5
Если удастся подобрат емкости экранных колец так, что заряды на этих емкостях при зарядке емкостной цепочки будут равны зарядам на соответствующих элементах поперечных емкостей схемы замещения, то заряды на соответствующих элементах продольных емкостей уменьшатся и будут равны друг другу. Вследствие этого напряжения на этих элементах продольных емкостей будут также меньше и равны друг другу, что и приведет к выравниванию кривой распределения напряжений. Рассмотренный ( рис. 17 - 15) способ емкостной защиты трансформаторов разработали С. И. Рабинович, Ю. С. Кронгауз, А. М. Чертин и А. Г. Перлин ( Московский трансформаторный завод), он применяется в отечественных трансформаторах напряжением 110 кВ и выше. Трансформаторы с подобной защитой называются грозоупорными или нерезонирующими, поскольку в них практически устранена опасность возникновения значительных резонансных электромагнитных колебаний под воздействием волн перенапряжений. [62]
Действительно, в первый момент включения на постоянное напряжение фильтр вообще не пропускает тока, благодаря наличию в нем индуктивности, тогда, как емкость схемы ( рис. 2 - 6) действует, как зако-ротка. В дальнейшем фильтр начинает пропускать ток, который достигает максимума и затем после ряда колебаний снова снижается до - нуля под влиянием заряжающейся емкости фильтра. [63]
Часто при символическом методе не нужно составлять дифференциальные уравнения, так как необходимое решение можно получить, пользуясь законом Кирхгофа, приписав индуктивностям и емкостям схемы символические сопротивления / coL и 1 / / &) С. Этот метод очень трудоемок при расчетах формы сложного сигнала на выходе усилителя с искажениями. Большую помощь при использовании символического метода оказывают ряды Фурье. [64]
В позиции 3 переключателей поддиапазонов / 7 ] и / 72 в контурах наряду с индуктивностями L2 и L4 остаются только начальные ( паразитные) емкости схемы. [65]
 |
Дополнительный резистор на входе микросхемы КМОП.| Паразитный колебательный контур на входе микросхемы КМОП. [66] |
Когда линия, соединяющая вход КМОП с выходом предыдущей микросхемы либо с механическими контактами, имеет большую длину, то за счет индуктивности проводов и емкостей схемы может образоваться колебательный контур. Этому способствует высокое входное сопротивление элемента. [67]
 |
Зависимость напряжения на индуктивности ( при разных г и на емкости ( г 0 от емкости схемы. [68] |
С помощью показанного на рис. 21 - 3 графического построения можно найти зависимость напряжения на индуктивности, вольт-амперная характеристика которой остается неизменной, от величины емкости схемы. Такая зависимость приведена на рис. 21 - 4, причем ветвь а соответствует емкостному режиму, ветвь б - устойчивому индуктивному, а пунктирная линия в - неустойчивому состоянию. Если емкость схемы меньше некоторого критического значения Скр ( прямая / / соС Е является касательной к вольт-амперной характеристике), то схема имеет только с одно устойчивое состояние. [69]
Условные обозначения: fe в кгц и fH в щ - верхняя и нижняя граничные частоты полосы пропускания; С ( Свых Cex - f CM) пф - емкость схемы, равная выходной емкости лампы данного каскада - J - - ( - входная емкость лампы следующего каскада - f - емкость монтажа ( 15 и 30 пф); RI в ком, ц; S в ма / в - параметры лампы; Ua - напряжение источника анодного питания в в; Un и ( 7С2 - напряжения на первой и второй сетках в в; [ а и / С2 - токи анода и второй сетки в выбранном режиме в ма. [70]
В общем случае использование в ключевых схемах транзисторов с встроенным каналом позволяет при сохранении прежних логических уровней снизить напряжение питания, сократить потребляемый ток и мощность, уменьшить геометрические размеры и емкости схемы, увеличить быстродействие. [71]
Страницы: 1 2 3 4 5