Емкость - эмиттерное
Cтраница 1
Емкости эмиттерного и коллекторного переходов зависят от напряжения, но, ввиду того что напряжение коллектора в режиме отсечки достаточно велико, относительное изменение напряжения коллекторного перехода незначительно. [1]
Емкости эмиттерного Сэ и коллекторного С переходов распределены по поверхностям, разграничивающим базу от эмиттера и коллектора. Емкость Ск разделяют на две составляющие: Ск Ска Скп, определяемые активной и пассивной частями коллекторного перехода. [2]
На схеме Джиаколетто показаны емкости эмиттерного и коллекторного переходов. [3]
Транзистор характеризуется барьерной и диффузионной емкостями эмиттерного и коллекторного переходов. Барьерная емкость обусловлена наличием объемного заряда в p - n - переходах. Диффузионная емкость эмиттерного перехода обусловлена изменением заряда в базе при изменении потенциала эмиттера, а коллекторного перехода - при изменении потенциала коллектора. [4]
По формуле ( 18 - 11) рассчитывают емкости эмиттерного или базового конденсаторов. [5]
Верхний предел частотного диапазона транзисторов зависит от наличия емкостей эмиттерного и коллекторного переходов Ск и Сэ и времени движения зарядов, инжектированных эмиттером в базу. Влияние емкостей особенно заметно с повышением частоты, так как сопротивление их переменному току уменьшается и становится соизмеримым с сопротивлением переходов, шунтируя их. Особенно большую роль играет емкость коллекторного перехода Ск, которая подключается параллельно большому сопротивлению перехода. Для повышения работоспособности транзистора на высоких частотах емкость Ск желательно свести к минимуму. Для этого стараются уменьшить площадь контакта коллектора с базой, но при этом уменьшается допустимая мощность сигнала на выходе транзистора. [6]
 |
Эквивалентная схема транзистора при включении его по схеме с ОБ ( а и общая схема транзистора как четырехполюсника ( б. [7] |
Кроме активных сопротивлений, в эквивалентную схему входят также емкости эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов. [8]
 |
Принципиальные в эквивалентные схемы диодов ИС. [9] |
В зависимости от схемы включения емкости диодов определяются различной комбинацией емкостей эмиттерного и коллекторного переходов. К одной из клемм диода ИС оказывается подключенной емкость изолирующего перехода. [10]
 |
Амплитудно-частотная характеристика уеилит ля У4 д ь. [11] |
Амплитудно-частотная характеристика усилителей на транзисторах в области верхних частот определяется емкостями эмиттерного и коллекторного переходов, в области нижних частот - емкостью разделительных и блокировочных конденсаторов. Чтобы расширить частотный диапазон в сторону верхних частот, либо уменьшают сопротивления на входе и выходе резистивного каскада, либо используют более высокочастотный транзистор. Диапазон усиливаемых частот может простираться до 100 кГц и более, что приводит к исчезающе малым линейным искажениям. [12]
 |
Идеализированные характеристики транзистора ного тока / к max существуют такие соотношения. [13] |
Существенное влияние на работу транзисторного генератора в области высоких частот оказывают емкости эмиттерного и коллекторного р-п переходов транзистора. [14]
 |
Эквивалентная схема транзистора. [15] |
Страницы: 1 2