Емкость - эмиттерное
Cтраница 2
Однако в области высоких частот, когда начинает проявляться зависимость свойств транзистора от емкости эмиттерного и коллекторного р-п-пе-реходов, а также от времени пролета носителей зарядов от эмиттерного до коллекторного р-а-переходов, параметры транзистора становятся комплексными величинами. В этих условиях пользоваться уравнениями (2.9) и (2.10) неудобно. Более удобным оказывается представить усилительный элемент расчетной, эквивалентной электрической схемой, показанной на рис. 2.14. Она получила название Т - образной физической схемы. Величина гд, имеющая размерность сопротивления, отображает условия прохождения носителей зарядов через эмиттерный р-п-переход, гб - условия прохождения свободных носителей зарядов в базе, гк - условия прохождения носителей зарядов через коллекторный р-я-переход, Сд и С - зарядные емкости эмиттерного и коллекторного р - / г-переходов соответственно Усилительные свойства транзистора представлены генератором тока cua - В эквивалентной схеме рис. 2.14 коэффициент передачи тока а а ( 0 зависит от времени. При использовании символического метода считаем коэффициент а 1а ( /) 1 зависящим от частоты. [16]
На высоких частотах транзистор нельзя рассматривать как резистивный трехполюсник, поскольку необходимо учитывать влияние емкостей эмиттерного и особенно коллекторного р-л-пе-реходов. [17]
Экспериментально установлено, что частота / т существенно зависит от толщины базы WE, и емкости эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов. [18]
В том случае, когда транзистор рассчитывается для работы в области верхних частот, необходимо учитывать влияние емкостей эмиттерного и коллекторного р-п переходов. Достоинство эквивалентной схемы биполярного транзистора для собственных или статических параметров заключается в том, что она позволяет производить качественные сравнения свойств транзистора в основных схемах включения. [19]
На частотные свойства транзисторов большое влияние оказывают междуэлектродные емкости и время перемещения носителей через область базы. В транзисторе под междуэлектродными емкостями понимают емкости эмиттерного и коллекторного переходов. [20]
Увеличение частоты усиливаемого сигнала свыше нескольких килогерц приводит к появлению фазовых сдвигов между напряжениями и токами на входе и выходе транзистора, независимо от схемы включения. Эти сдвиги обусловлены, как отмечалось при рассмотрении Z-параметров, емкостью эмиттерного и коллекторного переходов, а также диффузионным характером движения носителей тока. В результате характеристические проводимости транзистора с повышением частоты становятся комплексными. [21]
 |
Эквивалентная схема транзистора для 1 -пара-метров. [22] |
Полученной эквивалентной схемой транзистора для У-параметров не очень удобно пользоваться при расчетах, так как комплексные проводимости У-параметров не являются ни собственными, ни физическими параметрами транзистора, которые можно было бы найти в справочной литературе. В связи с этим в П - образной эквивалентной схеме комплексные проводимости заменяются на так называемые собственные параметры транзистора. Для схемы включения транзистора с ОЭ к собственным параметрам относятся активные проводимости Я, э Вб к 8кз н емкости эмиттерного и коллекторного р-п переходов Сб э и Сб / к, которые можно измерить или рассчитать, зная другие параметры транзистора, приводимые в справочной литературе. [23]
 |
Эквивалентная Т - образная схема транзистора для включения по схеме с общей базой. [24] |
Порядок величин первичных параметров для плоскостных транзисторов следующий. Сопротивление г9 составляет десятки ом, сопротивление Т (, - сотни ом. А сопротивления гк и п составляют сотни килоом и даже единицы мегом. Рассмотренная эквивалентная схема транзистора пригодна только для низких частот. На высоких частотах необходимо учитывать еще емкости эмиттерного и коллекторного переходов, что приводит к усложнению эквивалентной схемы. [25]
 |
Эквивалентные Т - образные схемы транзистора с генератором ЭДС ( а и тока ( б. [26] |
В ней генератор тока создает ток, равный а / тэ. Значения первичных параметров примерно следующие. Сопротивление г3 составляет десятки ом, г6 - сотни ом, а гк - сотни килоом и даже единицы мегаом. Обычно к трем сопротивлениям в качестве четвертого собственного параметра добавляют еще а. Рассмотренная эквивалентная схема транзистора пригодна только для низких частот. На высоких частотах необходимо учитывать еще емкости эмиттерного и коллекторного переходов, что приводит к усложнению схемы. [27]
Страницы: 1 2