Моделирование - поле
Cтраница 1
Моделирование поля, а также и всего процесса окрашивания сравнительно просто, если можно пренебречь объемными зарядами частиц краски. В этом случае можно отделить моделирование поля от моделирования движения частиц краски, что значительно облегчает задачу. Если же влияние зарядов частиц краски на электрическое внешнее поле значительно, то такого разделения провести не удается: электрическое поле будет существенно зависеть от движения частиц краски, которое в свою очередь будет определяться состоянием электрического поля; при этом моделирование становится весьма трудной задачей. [1]
 |
Картина электрического поля круглого изолятора с прямоугольным основанием. а - прямоугольное основание. б - картина поля в плоскости ОВ. [2] |
Моделирование поля в сечении 0В и расчет значений радиусов R - i производятся аналогично моделированию в сечении плоскости ОС. [3]
Моделирование поля объемных плотностей собственного ЛсобОМ) или результирующего т ] рез ( Л1) излучения в среде пока что в общем виде осуществить не удается. В связи с этим приходится прибегать к искусственным приемам, которые сводятся к замене объемного излучения поверхностным. [4]
Практически моделирование поля при помощи упругой мембраны осуществляется следующим образом. На жесткую раму натягивается листовая резина. Для контроля равномерности натяжения на резину до натяжения наносится сетка из одинаковых квадратов. Натяжение должно быть достаточно сильным, чтобы резина не провисала под собственным весом. [5]
 |
Пример резистивной сетки с шаговым отношением. [6] |
При моделировании поля иногда возникает необходимость более детального изучения распределения потенциала в отдельных частях пространства. При использовании сеток с крупным и мелким шагами большие и малые области рассматриваются отдельно и соединяются вместе специальными переходными участками в узловых точках. Общее требование к переходным участкам состоит в том, чтобы каждый участок отображал возможно большую площадь или объем с наименьшим числом компонентов при наибольшей детализации пространства, покрытого мелкой сеткой. [7]
При моделировании поля трех и большего числа электродов возникают дополнительные осложнения. [8]
При моделировании двухмерного поля плоскость ванны горизонтальна. При моделировании осесимметричного трехмерного поля ванна наклоняется под углом 5 - 10 так, что электролит образует клинообразное тело, подобное призме с основанием в виде сектора, вырезанной из цилиндрического аппарата. [9]
 |
Зависимость О - f ( Rz / Ri и поправочные коэффициенты при переходе от объемного к плоскостному моделированию. [10] |
При моделировании поля реальной конструкции с одинаковой диэлектрической проницаемостью используется модель с плоским дном. [11]
Рассмотрим, как производится моделирование двухмерного поля в электролитической ванне. [12]
Задача численного построения модели сводится к моделированию однородного изотропного гауссовского поля с заданной корреляционной функцией, для приближенного моделирования которого в [14] предлагается использовать метод рандомизации спектра [26], модифицированный для изотропных полей. [13]
Значительное сокращение объема решающего оборудования достигается при использовании частичного моделирования поля, что, однако, приводит к непропорциональному увеличению времени решения задачи. Для произвольной подобласти G4 ( см. рис. 12 - 1) на основании конечно-разностной аппроксимации частных производных строится математическая модель, схема набора которой содержит значительно меньшее число элементов, чем схема набора замкнутой модели всего поля. Однако в связи с тем, что краевые условия на границах подобластей неизвестны, решить задачу можно лишь итерационным путем. В каждой итерации при моделировании некоторой подобласти Ол граничные условия вводятся по результатам предыдущей итерации. Итерационный процесс заканчивается в тот момент, когда значения искомой функции на всех участках границ подобластей Gv совпадающих с границей исследуемой области G, будут соответствовать исходным краевым условиям. [14]
Моделирование крупномасштабных вихрей [ Reynolds, 1989 ] означает моделирование поля турбулентного потока с использованием прямого численного моделирования, но при этом узловые точки конечно-разностной сетки не распространяются на самые мелкие масштабы. [15]
Страницы: 1 2 3