Моделирование - поле
Cтраница 2
 |
Структура полуавтоматических УВГИ. [16] |
Существует несколько разновидностей ПУВГИ, различающихся прежде всего способом моделирования поля координат. [17]
Более точны методы, основанные на использовании экспериментальных данных, полученных моделированием поля. [18]
Результаты аналитического рассмотрения задачи о глубине внедрения разряда подтверждаются / 16 / моделированием поля в электролитической ванне по методике полной проводимости электролитов. При моделировании развития поверхностного разряда обнаруживается значительное изменение поля в сравнении с начальным по мере продвижения разряда в глубь промежутка. С продвижением разряда на 1 / 3 промежутка условия для смещения линии максимальной напряженности поля в среду под границей раздела исчезают. [19]
 |
Картина магнитного поля в плоскости. [20] |
Для качественного анализа поля в этой плоскости можно использовать методы исследования плоских полей, одним из которых является метод аналогового ( в данном случае электрического) моделирования поля на электропроводящей бумаге. [21]
В отличие от моделей - сплошных сред, где каждая точка модели может быть отождествлена с соответствующей точкой исследуемого объекта и где поле потенциалов непрерывно, в сеточных моделях происходит моделирование поля в теле с распределенными параметрами с помощью сосредоточенных параметров, каковыми являются элементы сетки, и решение, полученное на сетке, дает лишь приближенное представление о поле в тех точках тела, которые соответствуют узловым точкам модели. Таким образом, при использовании сеточных моделей нет прямого соответствия между полями в исследуемом объекте и в модели и точность решения во многом зависит от правильного разбиения объекта на элементы, от интервалов разбиения, от правильности составления схемы замещения, от тщательности подбора элементной базы модели и от других факторов, определяемых дискретностью моделирующей среды. [22]
При решении задач электронной оптики иногда применяют наглядный, но весьма приближенный метод моделирования электрического поля с помощью упругой мембраны. Моделирование поля этим методом основано на том, что уравнение, которым описывается форма поверхности деформированной упругой мембраны, при определенных условиях совпадает с уравнением Лапласа, а следовательно, величина деформации мембраны позволяет оценить распределение потенциала в исследуемой системе. [23]
При синтезе математической модели используем метод аппроксимации аналогично тому, как это выполнено в предыдущем разделе. Однако при моделировании поля температур в стекломассе имеются некоторые отличия. [24]
Моделирование поля, а также и всего процесса окрашивания сравнительно просто, если можно пренебречь объемными зарядами частиц краски. В этом случае можно отделить моделирование поля от моделирования движения частиц краски, что значительно облегчает задачу. Если же влияние зарядов частиц краски на электрическое внешнее поле значительно, то такого разделения провести не удается: электрическое поле будет существенно зависеть от движения частиц краски, которое в свою очередь будет определяться состоянием электрического поля; при этом моделирование становится весьма трудной задачей. [25]
При расчете изоляции для каждой части, находящейся под напряжением, необходимо выявить наиболее нагруженные в электрическом отношении изоляционные промежутки, определить напряженность электрического поля в промежутке и затем по допустимой напряженности выбрать размер промежутка, обеспечивая определенный коэффициент запаса электрической прочности. Определение напряженности производят либо аналитически, либо моделированием поля на математической модели, используя для этого электропроводящую бумагу или электролитическую ванну. [26]
Различные методы построения картины поля применяются для расчетов полей в областях сложной конфигурации, для которых применение аналитических методов затруднительно или вообще невозможно. В настоящее время в электромашиностроении применяются построение картины поля графическими методами и моделирование поля с помощью непрерывных аналоговых моделей. [27]
Построение траектории электронов рассмотренным методом показало, что при микропервеансах до нескольких единиц мка / в 1г погрешность не превышает нескольких процентов, что вполне допустимо в ряде практических случаев. В то же время при использовании этого метода построения траекторий отпадает необходимость расчета или моделирования поля с учетом пространственного заряда, что дает большую экономию времени. [28]
Однако вблизи катода ( zr0) решение в цилиндрических функциях расходится, а при 2 0 ( на катоде. Поэтому для малых значений z приходится искать приближенное решение в другой форме либо прибегать к моделированию поля в электролитической ванне. [29]
 |
Распределение температур в поверхностном слое стекломассы под шихтой и варочной пеной. [30] |
Страницы: 1 2 3