Модель - решетка
Cтраница 3
Согласно этому механизму, элементом потока является звено силикатной цепи. Однако модель решетки предполагает, что вклад цепей в структуру расплавов, содержащих менее 50 % М2О, уменьшается, а представить себе совершенно аналогичный механизм течения с участием отдельных звеньев структурных слоев ( табл. 42, А) довольно трудно. [31]
Следует отметить, что допуская наличие дырок в решетке, мы закрепляем понятие решетки. Но модель жесткой решетки противоречит природе жидкости, поскольку в действительности решетки в жидкости не существует - жидкость изотропна. Эта модель является чисто техническим средством для оценки интеграла по состояниям. [32]
Хорошим наглядным пособием являются модели кристаллических решеток, изготовленные из разноцветных деревянных шариков. Необходимо иметь модели решеток: алмаза, графита, серы, хлорида натрия, йода, сфалерита, гексахлороплатината калия. [33]
В рамках модели статической решетки, в которой равновесное расстояние между соседними атомами определяется из условия минимума потенциальной энергии их взаимодействия, постоянные решетки, атомарный объем не меняются при замещении одного изотопа на другой. [34]
 |
Структура псиломелана в проекции. [35] |
Каждый ион бария связан с четырьмя молекулами воды, причем две из них находятся в соседнем туннеле и завершают атомами кислорода десятикратную координацию марганца. Тем самым создается модель решетки, из которой легко могут теряться и в которую могут добавляться молекулы воды. Колебания состава связаны с замещением ионов бария в туннелях молекулами воды. Вопрос о том, являются ли эти замещения случайными или лишь отдельные определенные туннели полностью заполнены молекулами воды, остается открытым. [36]
Полученные данные свидетельствуют о недисперсности акустической ветви фононного спектра колебаний решетки в исследованном интервале частот. Отсюда вытекает возможность использования модели решетки, представляющей собой изотропный упругий континуум, в котором можно пренебречь ангармоничными трехфононными процессами переброса. Такого рода работы являются предметом наших дальнейших исследований. [37]
Показано, что специальные границы существуют и в этом случае, однако уже в концепции близкого совпадения, когда атомы не рассматриваются как геометрические точки. С учетом этого развиваются и модели вспомогательных решеток. [38]
Таким образом, в рамках модели дополнительной решетки к членам ( ип 1 - ) в выражении ( 4Л32) следует добавлять небольшую постоянную, значение которой зависит от ширины разрыва. [39]
Это означает, что отклонения этих растворов от совершенных происходят лишь в результате энергетического взаимодействия. Теория регулярных растворов может быть изложена в рамках так называемой модели решетки. Пусть каждый атом ( или молекула) как в чистых компонентах, так и в растворе имеет определенное число ближайших соседей ( координационное число), равное Z. Будем считать, что энергия взаимодействия быстро падает с расстоянием, поэтому учитывается лишь взаимодействие ближайших соседей. Пусть ец, 822, RIZ означают энергии, обязанные взаимодействию атома ( или молекулы) первого компонента с атомом того же первого компонента, второго со вторым и первого со вторым соответственно. Кинетическая энергия частиц согласно закону распределения энергии по квадратичным членам одинакова как в состоянии чистых компонентов, так и в растворе. [40]
Поэтому при комнатной температуре у полупроводников большее число электронов, чем у диэлектриков, способно преодолеть этот зазор и перейти в зону проводимости. Этот процесс схематически показан на рис. 19.17, а на модели решетки кристалла и на рис. 19.17, б на энергетической диаграмме. Электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне определяют электропроводность полупроводника. [41]
Это создает выгодную для синтеза комбинацию свойств, которые не могут быть воспроизведены в одну стадию ными методами химического окисления. Из рис. 7.5 наблюдаемая региоспецифичность соответствует тому, что сказывает модель алмазно-кристаллической решетки активного центра. [42]
Поэтому при комнатной температуре у полупроводников большее количество электронов, чем у диэлектриков, способно преодолеть этот зазор и перейти в зону проводимости. Этот процесс схематически показан на рис. 1 - 17, а на модели решетки кристалла и на рис. 1 - 17, б на энергетической диаграмме. Электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне определяют электропроводность полупроводника. Удельное сопротивление чистого германия при t 20 С имеет порядок р 0 6 ом-м в то время как такой диэлектрик, как слюда, имеет р 9 1013 ом-м. [43]
Поэтому при комнатной температуре у полупроводников большее количество электронов, чем у диэлектриков, способно преодолеть этот зазор и перейти в зону проводимости. Этот процесс схематически показан на рис. 1 - 17, а на модели решетки кристалла и на рис. 1 - 17, б на энергетической диаграмме. Электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне определяют электропроводность полупроводника. [44]
Хотя теории, созданные в период между 1905 и 1928 гг., рассматриваются редко, однако их стоит здесь коротко изложить, так как мы, например, все еще не имеем строгой теории сверхпроводимости, а возможно, что в ранних дискуссиях об электронной проводимости содержатся некоторые правильные идеи. В самом деле, теория для объяснения сверхпроводимости, предложенная Гейзенбергом [13] после окончания второй мировой войны, обнаруживает в своей первоначальной форме значительное сходство с пиндема-невской моделью электронной решетки, которую мы рассмотрим ниже. [45]
Страницы: 1 2 3 4