Модель - электронный газ
Cтраница 3
ГПа, при высокой плотности среды структура вещества упрощается и представляет собой квазиодномерное распределение электронной плотности внутри элементарных ячеек Вигнера-Зейтца, так как электронные оболочки атомов в этих условиях раздавлены. Очевидно, что упрощается и термодинамическое описание вещества, уравнение состояния которого может быть построено на основе модели электронного газа Томаса-Ферми. [31]
Зоммерфельдом было электронный газ в металле является вырожденным. Расчет кости по формулам квантовой статистики Ферми - Дирака дает результаты, согласующиеся с опытом, так что модель идеального электронного газа в металле подтверждается и в этом случае. [32]
Как сказано выше, основной качественный результат применения приближения TFC для расчета равновесного профиля электронов в атомной ячейке состоит в том, что при достаточно низких температурах и плотностях ( 100) в равновесном профиле заряда должен появиться разрыв плотности. Еще раз подчеркнем, что момент появления этого разрыва должен в точности соответствовать моменту достижения критической температуры нового фазового перехода флюид флюид в модели электронного газа - ТСОСР, а локальные плотности на краях этого разрыва - плотностям сосуществующих фаз этого перехода. [34]
В то же время другие модели обладают рядом ограничений. Так, модель биографически неоднородной поверхности справедлива лишь в области средних покрытий при одноцентровой адсорбции; промежуточных соединений. Модель электронного газа дает возможность описать только линейное изменение теплоты адсорбции; и энергий активации с заполнением. Модель Изинга разработана лишь для адсорбции одного сорта промежуточных частиц на линейной поверхности. Использование полуэмпирической модели может помочь преодолеть перечисленные ограничения. Однако окончательное суждение о типе неоднородности должно быть сделана на основе совместного обсуждения результатов кинетических опытов и данных, полученных другими методами исследования каталитической поверхности. [35]
Однако количественные расчеты не могут быть выполнены, так как, разумеется, нет оснований считать комплексообразование с металлом количественно равнозначным образованию нового звена - С С-связей. Далее известно, что различные металлы дают разный сдвиг полосы поглощения. Вопрос о специфическом влиянии отдельных металлов рассмотрен Сано [23] на основании теории модели электронного газа, рассмотренной выше. [36]
Однако экспериментально установлено, что вклад электронов в теплоемкость практически равен нулю. Это противоречие нашло объяснение на основе квантовой статистики, когда Зом-мерфельдом было учтено, что электронный газ в металле является вырожденным. Расчет теплоемкости по формулам квантовой статистики Ферми - Дирака дает результаты, согласующиеся с опытом, так что модель идеального электронного газа в металле подтверждается и в этом случае. [37]
Из трехмерных сферически симметричных задач рассматривалась модель нейтрального атома с выключенным взаимодействием между электронами. На рис. 2 изображена относительная разность кван-тово-механической электронной плотности ркв и плотности по Томасу-Ферми ( 1), с осцилляционнои поправкой ( 2) и с поправкой Трошина [4] ( 3) для модели идеального электронного газа в кулоновском поле. [38]
Модель идеального газа широко используется в физике. Например, в электродинамике при изучении электропроводности металлов в классическом приближении электроны считаются идеальным электронным газом. Это дает возможность не учитывать электромагнитного взаимодействия электронов между собой и рассматривать их взаимодействие с положительными ионами кристаллической решетки металла как простое соударение. Модель идеального электронного газа используется при изучении явлений, возникающих при движении проводников в магнитном поле. [39]
Модель идеального газа широко используется в физике. Например, в электродинамике при изучении электропроводности металлов в классическом приближении электроны считаются идеальным электронным газом. Это дает возможность не учитывать электромагнитное взаимодействие электронов между собой и рассматривать их взаимодействие с положительными ионами кристаллической решетки металла как простое соударение. Модель идеального электронного газа используется при изучении явлений, возникающих при движении проводников в магнитном поле. [40]
Изложенные выше представления исходят в основном из рассмотрения закономерностей изменений потенциальной энергии электронов в металле. Закономерности адсорбции на металлах трактуются и с другой точки зрения - с учетом изменения кинетической энергии электронов. Модель поверхностного электронного газа хотя и чрезмерно упрощена, за что она критиковалась [51, 52, 465], дает, однако, возможность объяснения некоторых закономерностей адсорбции. [41]
Пунктирная линия изображает потенциальную энергию л-электрона. Однако эта модель упрощается таким образом, что потенциальная энергия V вдоль всей цепи принимается постоянной, а на краях цепи - бесконечно возрастающей, как показано сплошными линиями. Принимается также, что данный л-электрон может двигаться только вдоль горизонтальной линии. Таким образом, Кун прибегает здесь к модели одномерного электронного газа. [42]
Эти центры обусловливают так называемую биографическую неоднородность поверхности. Иногда этих центров может оказаться достаточным для объяснения наблюдаемой экспериментально логарифмической изотермы адсорбции. Действительно, как было показано при помощи расчетов на ЭВМ, суммирование всего пяти изотерм Лэнгмюра с различными параметрами приводит к изотерме, мало отличающейся от логарифмической. Одновременно были предприняты попытки объяснить экспериментально наблюдаемую логарифмическую изотерму адсорбции на основе модели поверхностного электронного газа. [43]
Эти центры обуславливают так называемую биографическую неоднородность поверхности. Иногда этих центров может оказаться достаточным для объяснения наблюдаемой экспериментально логарифмической изотермы адсорбции. Действительно, как было показано при помощи расчетов на ЭВМ, суммирование всего пяти изотерм Лэнгмюра с различными параметрами приводит к изотерме, мало отличающейся от логарифмической. Одновременно были предприняты попытки объяснить экспериментально наблюдаемую логарифмическую изотерму адсорбции на основе модели поверхностного электронного газа. [44]
Эти центры обусловливают так называемую биографическую неоднородность поверхности. Иногда этих центров может оказаться достаточным для объяснения наблюдаемой экспериментально логарифмической изотермы адсорбции. Действительно, как было показано при помощи расчетов на ЭВМ, суммирование всего пяти изотерм Лэнгмюра с различными параметрами приводит к изотерме, мало отличающейся от логарифмической. Одновременно были предприняты попытки объяснить экспериментально наблюдаемую логарифмическую изотерму адсорбции на основе модели поверхностного электронного газа. [45]
Страницы: 1 2 3 4