Нелинейная емкость
Cтраница 1
 |
Схема к примеру ( а и ее граф ( б. [1] |
Нелинейная емкость С1 характеризуется параметром Ci ( Uc), зависящим от напряжения Uci на этой емкости. [2]
Нелинейная емкость - характеристика конденсатора, у которого заряд не пропорционален приложенному на. [3]
Нелинейная емкость с идеально прямоугольной к. [4]
К нелинейной емкости и нелинейной индуктивности применяются определения, аналогичные рассмотренным для активного нелинейного сопротивления. [5]
 |
Схема преоСфазования энергии нелинейной емкостью. [6] |
На нелинейной емкости, которую представляет собой запертый полупроводниковый диод ( рис. 2 - 49), иод воздействием напряжения генератора накачки с частотой / И и напряжения генера-п ра сигнала с частотой / с возникает напряжение, состоящее из суммы напряжений бесконечного ряда комбинационных частот нида kfc pfu. С помощью электрических фильтров может быть выделено любое количество этих частот. [7]
К нелинейной емкости, кулон-вольтнай характеристика которой показана на рис. 10.2, б ( в), подведено синусоидальное напряжение Um sin at 1 sin 1000 / В. [8]
Использование нелинейной емкости р-п переходов СВЧ диодов для параметрического усиления сигналов приобрело настолько важное значение, что переросло в самостоятельный раздел полупроводниковой техники. Этой области использования полупроводниковых диодов будет посвящен следующий параграф. [9]
Кулон-вольтная характеристика нелинейной емкости изображена на рис. 10.7, б, где qm - 10 - 7 К. [10]
Кулон-вольтная характеристика нелинейной емкости выражена аналитически и 30 sh ( 0 4 - 106 q), где и - в вольтах, q - в кулонах. [11]
Кулон-вольтная характеристика нелинейной емкости изображена на рис. 10.7, б, где qm - 10 - 7 К. [12]
Кулон-вольтная характеристика нелинейной емкости выражена аналитически и 30 sh ( 0 4 - 106 q), где и - в вольтах, q - в кулонах. [13]
Если влияние нелинейной емкости ТД на частоту СВЧ генератора качественно не отличается от ее роли в генераторе радиочастот, то влияние высших гармоник на СВЧ существенно сложнее. Связано это с тем, что контур с распределенными параметрами обладает для основной резонансной частоты и ее нечетных гармоник чисто активным и сравнительно большим сопротивлением, тогда как для четных гармоник его сопротивление также активно, но очень мало. [14]
 |
Характеристики полупроводниковых диодов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4