Cтраница 2
Пусть на нелинейную емкость подано напряжение накачки ы и напряжение подлежащего усилению сигнала с, причем напряжение сигнала ыс ып. [16]
Итак, нелинейную емкость С вместе с источником напряжения питания UD можно заменить зависящей от времени емкостью, в чем и состоит переход от нелинейной схемы к линейной схеме с переменным параметром. Заметим, кроме того, что контур / настроен на частоту coi, и можно считать, что он представляет нулевое сопротивление для всех частот, кроме в. Аналогично контур 2 представляет короткое замыкание для всех частот, кроме UO GI. [17]
Если через нелинейную емкость проходят первая и вторая гармоники тока, а угол ф Ф 0, то на емкости будет постоянная составляющая заряда при отсутствии постоянной составяягощгй напряжения на емкости. [18]
Схемы включения фотодиодов. [19] |
Фотодиод представляет собой нелинейную емкость. Фотодиод вместе с индуктивностью образует колебательный контур, являющийся одним из плеч моста переменного тока. При затемненном диоде контур настраивается в резонанс регулировкой напряжения U. [20]
Определенная таким образом нелинейная емкость уже не постоянная величина, а функция приложенного напряжения. [21]
Возможно также использование нелинейной емкости запертого перехода полупроводниковых приборов. [22]
Если же через нелинейную емкость проходит синусоидальный ток, то напряжение на ней имеет резко выраженную третью гармонику. [23]
Утроитель частоты. а - схема. 6 - выходное напряжение. [24] |
Если же через нелинейную емкость проходит синусоидальный ток, то напряжение на ней имеет резко выраженную третью гармонику. [25]
Емкость Сак является нелинейной емкостью, которая в зависимости от технологии изготовления p - n - перехода обратно пропорциональна либо J / Т Г, либо 1 / иак. [26]
Варикап-это полупроводниковый диод, нелинейная емкость которого определяется свойствами / - гс-перехода. [27]
Варикап-это полупроводниковый диод, нелинейная емкость которого определяется свойствами р-п-перехода. [28]
Наконец, была рассчитана нелинейная емкость перехода для случая плоскостных диодов с резким и линейным переходами. Использованный метод анализа является общим и не ограничен только этими двумя типами переходов. [29]
Важной характеристикой умножителя на нелинейной емкости является полоса пропускания, определяющая также фазовую стабильность. [30]