Межэлектродная емкость

Cтраница 1

Межэлектродные емкости измеряют методом емкост-но-омического делителя, описанным ранее. Делитель образуют из сопротивления измерительного ( эталонного) резистора и измеряемой межэлектродной емкости транзистора. [1]

Межэлектродная емкость у вольтметров С-95 имеет значение от 4 до 7 пкф; резонансная частота лежит в пределах от 200 до 300 Мгц. [2]

Держатель и дисковый ввод сетки с малой индуктивностью. [3]

Межэлектродные емкости складываются из емкостей между самими электродами и из емкостей между их вводами. [4]

Межэлектродные емкости являются важными факторами для высокочастотных характеристик электронной лампы, но они не полностью определяют ее работу. Более полная характеристика лампы получается при учете величин, называемых соответственно входным импедансом и выходным импедансом. [5]

Межэлектродные емкости зависят от конструкции и геометрии прибора, но, как правило, не превышают 1 пф. [6]

Межэлектродной емкостью называется емкость, образованная близко расположен-ными друг к другу электродами триода, которые разделены диэлектриком - вакуумом. [7]

Наличие межэлектродных емкостей неизбежно приводит к прохождению управляющих сигналов на выход ключа и дополнительно снижает его быстродействие. Реальная длительность переходных процессов в переключательных схемах на МОП-транзисторах колеблется от микросекунды до десятков наносекунд. [8]

В межэлектродную емкость Ct входит и диффузионная емкость, которую в первом приближении можно полагать постоянной и равной средней за время действия сигнала. [9]

Эквивалентная схема нагревателя термопреобразователя для определения погрешностей на повышенных частотах.| Схема, иллюстрирующая утечки тока через емкости преобразователя на повышенных частотах.| Зависимость погрешности, обусловленной дополнительным подогревом термопары на частоте 100 МГц.| Зависимость погрешности, обусловленной дополнительным подогревом термопары на частоте 400 МГц. [10]

С - межэлектродная емкость; I - индуктивность нагревателя; R - омическое сопротивление нагревателя. [11]

Так как межэлектродные емкости транзистора создают положительную обратную связь между выходом и входом, усилитель может возбудиться и начать генерировать собственные колебания вместо того, чтобы усиливать сигналы предыдущего каскада. Этот элемент включен между нижним выводом резонансного контура и выводом базы транзистора. Величина емкости нейтрализации подбирается так, чтобы амплитуда противофазного напряжения была равна напряжению положительной связи, которое вызывает генерацию. Высокочастотный дроссель L не пропускает составляющих радиосигнала, выделяющихся в колебательном контуре, к источнику питания. L, и выходной резонансный контур L6C6 усиленный выходной сигнал передается на вход усилителя класса С большей мощности или к антенной системе. [12]

В УЗЧ межэлектродные емкости полевого транзистора, имеющие малые значения, не оказывают существенного влияния на результат расчета и поэтому при инженерных расчетах, как правило, не учитываются. [13]

Конструкция плоскостного германиевого диода.| Вольт-амперная характеристика плоскостного диода. [14]

Большое значение межэлектродной емкости ограничивает применение плоскостных диодов на высоких частотах. [15]

Страницы: 1 2 3 4