Межэлектродная емкость

Cтраница 4

Как показывает более полная теория лампы, межэлектродные емкости Cg и Са зависят от многих факторов и в зажженной лампе не могут быть приняты такими же, как в незажженной. Если бы мы сообщили аноду и сетке одинаковый потенциал по отношению к катоду, то величина JJL указывала бы, во сколько раз число силовых линий, исходящих из катода и перехватываемых сеткой, превышает число силовых линий, достигающих анода. Здесь должны разуметься динамические емкости, зависящие от режима работы лампы. Их определение является затруднительным, поэтому коэффициент усиления, как пояснено ниже, вычисляют иначе. [46]

Параметры схемы - Lv, Lc и межэлектродные емкости лампы Сас, Сад 1 Ссд - неизменны при перестройке частоты. [47]

Прибор Е8 - 1 предназначен для измерения межэлектродных емкостей. Прибор имеет пять поддиапазонов. Погрешность измерения возрастает с уменьшением измеряемой емкости. С диагонали АБ напряжение снимается через усилитель переменного тока Y. При балансе схемы напряжение между точками АБ равно нулю. Это напряжение подается на сетку измерительной электронной лампы, что обеспечивает максимальный анодный ток, а следовательно, и максимальное отклонение стрелки прибора. При наличии напряжения между точками АБ отклонение стрелки прибора уменьшается. Следовательно, для получения баланса схемы необходимо добиваться максимального отклонения стрелки прибора. Изменение в балансе схемы производится конденсатором переменной емкости С, обеспечивающим линейную зависимость емкости от угла поворота подвижных пластин конденсатора, связанного с равномерной шкалой прибора. В два плеча схемы включены конденсатор измеряемой емкости Сх и эталонный конденсатор Со. В два других плеча включены сопротивления RI и R2 и конденсатор переменной емкости С. [48]

Инерционные свойства полевых транзисторов отражаются с помощью межэлектродных емкостей Сзи, С3с, Сип, ССп; следует подчеркнуть, что емкости Сип, Ссп ( а для транзисторов с управляющим р - n переходом и емкости Сзи, С3с) зависят от напряжения на соответствующем переходе транзистора - это барьерные емкости полевых транзисторов. Сопротивления слоев истока Ги и стока гс учитываются только для достаточно мощных транзисторов. Зависимые источники тока IN и / / моделируют токи через канал транзистора при нормальном и инверсном включении соответственно. [49]

Кроме того, ЭВП разных типов характеризуются межэлектродными емкостями, предельными значениями напряжений на электродах, токов, рассеиваемых мощностей и другими электрическими величинами. При работе ЭВП в схемах совершенно недопустимо превышение указанных предельных величин. Любое превышение предельных значений напряжения, тока или рассеиваемой мощности быстро приводит ЭВП в негодность. [50]

Второй контур образован катушкой индуктивности LC и межэлектродными емкостями Сек ( емкости между сеткой и катодом) ламп. [51]

Недостатком сеток со штампованными рамками является повышенное значение межэлектродных емкостей по сравнению с обычными сетками на траверсах. Поэтому их применение ограничивается низкочастотными лампами. На рис. 11 - 11 показана конструкция экранирующей сетки при-емно-усилительного высокочастотного тетрода. [52]

Эквивалентная схема МДП-транзистора для малых переменных составляющих. [53]

Переходные и частотные характеристики МДП-транзисторов обу словлены перезарядкой межэлектродных емкостей через внешни резисторы, а также перезарядкой емкости затвор - канал через сопро тивление канала. Последний процесс накладывает принципиально ограничение на быстродействие транзистора. МДП-транзистора следует рассматривать как распределенную RC - cu схему. [54]

Переходные и частотные характеристики МДП транзисторов обусловлены перезарядкой межэлектродных емкостей через внешние резисторы, а также перезарядкой емкости затвор - канал через сопротивление канала. [55]

Для ускорения переходных процессов уменьшают до возможного предела межэлектродную емкость, а также легируют область p - n - перехода небольшой присадкой золота. [56]

Между электродами полевого транзистора имеются емкости, аналогичные межэлектродным емкостям лампового триода: Cgs - емкость затвор - исток, Cgd - емкость затвор - сток, Cds - емкость сток - исток. [57]

Страницы: 1 2 3 4