Кластерная модель

Cтраница 1

Кластерная модель более или менее приемлема лишь для практически ионных систем, для которых поэтому и процедура перекрестного согласования оправдана, хотя и довольно громоздка. [1]

Кластерная модель легких ядер может рассматриваться как своеобразная расширенная модель ядерных оболочек. [2]

Аналогом кластерной модели в случае исследования поверхностей твердых тел, в известном смысле, является модель кристаллической пластины, в которой рассматривается не полубесконечная решетка, а лишь несколько атомных слоев. В этой работе методом сильной связи была рассчитана зонная структура пластины, содержащей 20 атомных слоев, причем учитывалась поверхностная релаксация атомов. [3]

Положения кластерной модели основаны на утверждении, что при больших плотностях в частично ионизованной плазме могут образовываться нейтральные и заряженные комплексы, содержащие несколько атомов и ионов ( кластеры), характеризующиеся большей плотностью, чем окружающая их плазма и имеющие ближний порядок. В [106] было получено уравнение состояния паров щелочных металлов в кластерной модели и проведен анализ ионизационного равновесия. [4]

Применение кластерной модели физически оправдано, строго говоря, лишь для изучения электронных процессов при гетерогенном катализе, где кластеры из небольшого числа атомов каталитически активного вещества ( например, благородного металла) реально существуют на поверхности инертной подложки. Во всех остальных случаях кластер из конечного ( сравнительно небольшого) числа атомов представляет собой лишь более или менее грубую модель кристалла, реалистичность которой зависит от специфики объекта и способа аппроксимации окружающего кластер кристалла. [5]

Применение кластерной модели для совершенного кристалла связано с принципиальными трудностями, обусловленными различием симметрии кристалла и кластера. Вопрос об оптимальном выборе симметрии и формы кластера в этом случае требует специального исследования. [6]

Кубические кластеры в кристаллах со структурой хлорида натрия. [7]

Исследование кластерной модели ( ее возможностей, области применимости) может быть осуществлено на основе более последовательной модели КРЭЯ; при этом удается предложить некоторые принципы более оптимального выбора молекулярного кластера, моделирующего совершенный кристалл, в том числе и при исследовании кристаллов с дефектами. [8]

В кластерной модели совершенный кристалл и кристалл с ЛЦ моделируются комплексами из конечного числа атомов, имеющими одинаковую симметрию, соответствующую точечной симметрии кристалла с ЛЦ. Увеличение размеров кластера, моделирующего совершенный кристалл, сопровождается увеличением числа уровней в группах, моделирующих энергетические зоны, и уменьшением расстояния между уровнями. Увеличение кластера, моделирующего кристалл с ЛЦ, позволяет выяснить степень делокалнзации локальных состояний по кристаллу и влияние учета взаимодействия центра с атомами кристалла, не являющимися ближайшими соседями, на положение локальных уровней. [9]

ЛЦ кластерной модели не является очевидной. [10]

Кластерная модель воды по Люку. при температуре - О С. [11]

Существуют также другие кластерные модели, в которых предполагается отсутствие свободных молекул воды, хотя молекулы могут существовать в двух или трех разных состояниях. В соответствии с одной из них [69] в воде существуют льдоподобные кластеры. Вследствие кооперативного характера водородной связи разорванные водородные связи и свободные гидроксильные группы расположены не беспорядочно, а локализованы на поверхности раздела между отдельными областями с решетчатой структурой или вдоль дефектов по Френкелю. Примерная картина такой структуры приведена на рис. 1.13. Эти кластеры колеблются с периодом порядка, 10-и с; это значит, что некоторые из них имеют замкнутые поверхности, граничащие с соседними ассоциатами, другие имеют открытые поверхности. В этой модели учитываются также лишние водородные связи и, таким образом, всю жидкость можно рассматривать как агломерат из молекул, находящихся в разных состояниях. [12]

На основе кластерной модели авторы [14] исследовали соединения разной природы: 1) тугоплавкие соединения rf - элемен-тов IVa и Va подгрупп периодической системы ( карбиды, нитриды, низшие оксиды), на основе которых ведется интенсивный поиск сверхтвердых и сверхпроводящих материалов; 2) оксиды ванадия, применяемые в оптике и микроэлектронике; 3) ванада-ты s -, р -, d -, / - элементов, являющиеся перспективными материалами в лазерной оптике; 4) оксидные соединения 4 / - и 5 / - эле-ментов, также представляющие практический интерес. [13]

Отличительной чертой кластерной модели является то, что в ней не регламентируется характер морфологии цепей внутри кластера. Кластер может состоять как из макромолекул, имеющих складчатую конформацию ( тогда кластерная модель совпадает с моделью Иеха), так и из развернутых элементов полимерных цепей, не образующих ( или образующих мало) складок. Второй особенностью модели является предположение о флуктуа-ционном характере кластеров. В вязкотекучем и высокоэластическом состояниях интенсивное сегментальное движение может привести к сильному сокращению времени жизни кластеров - настолько, что они перестанут существовать. В ряде случаев тепловое движение, по-видимому, просто разрушает кластеры. При понижении температуры время жизни кластеров возрастает, и в стеклообразном состоянии оно становится достаточно большим. В этом состоянии кластеры могут существовать неограниченно долго. [14]

Исходя из кластерной модели, можно полагать, что низкотемпературный переход Т2 в области стеклования, выраженный обычно более слабо, обусловлен размораживанием сегментального движения в неупорядоченных областях аморфного полимера. Высокотемпературный переход Т Те в области стеклования, который проявляется всегда более отчетливо и характеризуется наиболее сильным изменением температурного коэффициента скорости звука, видимо, обусловлен размораживанием сегментальной подвижности внутри более упорядоченных областей - антикристаллических кластеров. Интересно, что температурный интервал ATi 2 между точками высокотемпературного Т и низкотемпературного Т2 переходов, расположенными в главной релаксационной области, в сильной степени зависит от параметров, характеризующих сетку зацеплений. Действительно, если исходить из изложенных выше представлений, то нужно ожидать, что у таких жесткоцепных полимеров, ак полисульфон ( и2 4) и поликарбонат ( п 3 7), кластеры образованы участками распрямленных цепей, и складки цепей в кластерах практически отсутвтвуют. [15]

Страницы: 1 2 3 4