Более общая модель

Cтраница 1

Более общая модель, учитывающая как дискретное, так и распределенное запаздывание, введенная Дж. [1]

Температурная зависимость магнитной восприимчивости для одноосного ( тетрагонального антиферромагнетика MnF2. [2]

Более общие модели, не принимающие ни условий (5.12), ни условия (5.14), тоже рассматриваются, особенно в динамике. Но их применение ( см., например, [5.7] и [5.8]), как правило, связаны со значительно более громоздкими расчетами, с большим числом параметров, которые не всегда поддаются ясному физическому истолкованию. [3]

Более общая модель, соответствующая ( 38), была рассмотрена Штернхеймером [14]; однако оценка полученных им выражений трудна и была сделана только при упрощающих предположениях. Точность полученных выражений едва ли превышает точность более простого анализа, приведенного здесь, результаты же последнего в основном совпадают с результатами Штернхеймера. [4]

Более общая модель описывает сочетания с повторениями. [5]

Более общие модели статической прочности учитывают взаимное влияние двух механизмов разрушения ( среза и отрыва) и потому справедливы как для пластичных, так и для хрупких материалов. [6]

Более общей моделью обобщенного ЭП является модель многофазной т, n - обмоточной машины с п степенями свободы. [7]

Эта более общая модель приводит к расширенной теории образования скрытого изображения, которая, невидимому, лучше согласуется с некоторыми фотографическими данными по светочувствительности несенсибилизированных и химически сенсибилизированных микрокристаллов, чем любая теория, исходящая из участия только одного типа положительно заряженных дефектов решетки. Образование скрытого изображения, по своей природе, - процесс весьма сложный, и хотя с точки зрения минимального количества исходных гипотез естественно будет пытаться интерпретировать все процессы, пользуясь единым механизмом, можно не сомневаться в том, что одновременно функционирует несколько различных механизмов. [8]

Рассмотрим более общую модель, когда имеются две контролируемые переменные процесса хц, Xzt, а функция отклика в окрестности точки ( А О, х2о) в пространстве переменных ( xi, Xz) может быть выражена полиномом второго порядка. [9]

В более общих моделях учитывается конечность размеров переходной области, непостоянство концентрации носителей в высокоомной части базы. Однако это не изменяет качественной картины явления. [10]

Кривая релаксации напряжения.| Модель Кельвина - Фойгта ( а и деформационная кривая этой модели ( б. 200. [11]

Известны и более общие модели. [12]

Кирхгофа-Лява и более общие модели типа Тимошенко, учитывающие деформации поперечного сдвига. Дальнейшим обобщением указанных кинематических моделей является, очевидно, модель, учитывающая деформацию обжатия поперечного волокна оболочки. В рамках такой модели элемент оболочки обладает всеми шестью пространственными степенями свободы, свойственными трехмерному телу. [13]

Рассмотрим теперь более общую модель с неоднородной разрывной целевой функцией. Ее удобно будет сформулировать в терминах, близких к задаче о смесях, хотя такая интерпретация не является единственно возможной. [14]

В работе [13.11] приведена более общая модель, учитывающая прошедший свет, а в статье [13.3] - модель, учитывающая зависимость отражательной способности от длины световой волны. В статье [13.7] приведено всестороннее обсуждение задачи воспроизведения изображения поверхности, включая методы определения нормали, разделения видимых и невидимых элементов и штриховки. Статья [13.6] посвящена родственной теме - штриховке при составлении географических карт. Следует подчеркнуть, что правила штриховки, используемые художниками, отличаются от формальных правил, описанных в разд. [15]

Страницы: 1 2 3 4