Зарядная емкость - переход
Cтраница 1
Зарядные емкости переходов могут быть рассчитаны по конструктивным данным обычным путем. Следует помнить, что эмиттерный переход будет резким, а коллекторный - плавным. [1]
Необходимо также уточнить влияние изменения зарядной емкости эмитгерного перехода при изменении плотности тока. [2]
Рассмотренная выше емкость обычно называется зарядной емкостью р-п перехода. [3]
Динамические свойства полевых транзисторов в основном определяются величиной зарядных емкостей переходов, которые заряжаются через сопротивления каналов. [5]
Влияние проходной емкости Cj ( которая практически равняется зарядной емкости перехода диода Сп) проявляется в закрытом состоянии диода. [6]
При работе в импульсном режиме на характер переходных процессов влияет зарядная емкость перехода. Подобно конденсатору, р-п переход разряжается или заряжается, вызывая изменение тока перехода. [7]
Вместе с тем величина этого источника непосредственно зависит от значений зарядных емкостей переходов транзистора СЭО и Ск0, причем транзисторы с большими значениями этих емкостей характеризуются большими значениями источника / ср. [8]
Диффузионная емкость, связанная с накоплением инжектированных неосновных носителей, много больше зарядной емкости перехода. [9]
С увеличением частоты питающего напряжения сопротивление ключа падает, причем в закрытом состоянии это обусловлено действием зарядных емкостей переходов, а в открытом - влиянием диффузионных емкостей. [10]
В результате переход ведет себя как конденсатор с той лишь разницей, что у конденсатора заряд сосредоточен на его обкладках, а у электронно-дырочного перехода он имеет объемное распределение ( рис. 19), что дает основание говорить о емкости электронно-дырочного перехода. Эту емкость называют зарядной емкостью перехода. [11]
На эквивалентных схемах диффузионная емкость эмиттера может служить для моделирования входного сопротивления транзистора. Рассчитывая распределение входного тока между переходом, зарядной емкостью перехода и диффузионной емкостью эмиттера, следует иметь в виду, что только ток зарядной емкости не участвует в инжекции неосновных носителей в область базы. [12]
При этом время переключения снижается до нескольких десятков пикосекунд и определяется в основном зарядной емкостью перехода. [13]
Рассмотрен диффузионный р-п переход в тонкой эпитаксиальной пленке. Для случая экспоненциального распределения доноров и акцепторов получены соотношения, позволяющие вычислить ширину области объемного заряда, а следовательно, и зарядную емкость р-п перехода. [14]
 |
Вытеснение тока базы к краю эмиттера. [15] |
Страницы: 1 2