Cтраница 2
Несколько большее значение при больших токах эмиттера приобретают диффузионные параметры выходной цепи. Выходная диффузионная проводимость растет пропорционально току, поэтому диффузионная емкость коллекторного перехода, которая при малых токах эмиттера пренебрежимо мала по сравнению с зарядной емкостью перехода, может при больших токах стать сравнимой с зарядной или даже превысить ее. [16]
Другим немаловажным фактором, определяющим работоспособность транзисторов на высоких частотах, является величина емкости перехода. Как уже было отмечено, электронно-дырочный переход обладает емкостными свойствами. С ростом запирающего смещения а переходе ширина перехода увеличивается, а емкость его уменьшается; эту емкость называют зарядной емкостью р-п перехода. При прямом смещении и высоком уровне ин-жекции ширина перехода уменьшается, а емкость его увеличивается. [17]
Это уравнение является основным уравнением, решая которое мы можем связать между собой токи через переходы и напряжения на переходах для теоретической модели транзистора. Основные зависимости, полученные из решения данного уравнения, называемого уравнением диффузии, были использованы нами в предшествующих главах. Обратим внимание на то, что полученные решения справедливы для одномерной модели транзистора и не учитывают влияния распределенного сопротивления базы и зарядных емкостей переходов. [18]
Второй режим работы тринистора характеризуется тем, что до прихода запускающего сигнала эмиттерный переход смещен в обратном направлении. Если считать, что эмиттерный переход тринистора отпирается по достижении напряжением на базе значения, равного нулю, то время отпирания будет пропорционально величине зарядной емкости эмиттерного перехода С3, зависящей от приложенного напряжения. Однако в большинстве практических случаев это время составляет единицы процента от общего времени нарастания базового тока до заданной величины. Поэтому задание зарядной емкости перехода база - эмиттер в качестве динамического параметра входной цепи тринистора не имеет смысла. [19]
Интегральные диоды представляют собой многослойные структуры, характеристики которых определяются схемой включения транзисторной структуры. Определенное влияние оказывают паразитные транзисторы, которые образуются из-за взаимодействия рабочих слоев с подложкой ИМС. В частности, ток утечки диода в подложку определяется током коллектора паразитного транзистора. Из-за наличия тока утечки входной ток интегрального диода всегда отличается от выходного тока. Быстродействие интегрального диода, определяемое зарядными емкостями переходов и временем рассасывания, также зависит от схемы включения. [20]