Дислокационная модель

Cтраница 1

Дислокационная модель, дающая кубический закон ползучести ( 146), сводится к следующему. Рассмотрим небольшую область кристалла. Уровень напряжений в этой области определяется наличием дислокаций в соседних областях. Переход одной дислокации в более удаленные области ( любым способом) уменьшает уровень напряжений в рассматриваемом объеме на какую-то величину АП. [1]

Рассмотренная дислокационная модель качественно удовлетворительно объясняет рост пленок в тонких НК из собственного беспримесного пара при малых пересыщениях а. Вопрос о влиянии примесей на рост кристаллов из собственного пара исключительно сложен и пока изучен недостаточно. Обычно предполагается, что примеси отравляют изломы и что только свободные изломы могут участвовать в процессе роста. [2]

Дислокационная модель границы между кристаллами неприменима при угловой разориентировке свыше 15, так как в этом случае дислокации располагаются столь близко одна к другой, что их ядра взаимно налагается. [3]

Дислокационная модель схватывания и электросопротивление поверхностных слоев металлов. [4]

Дислокационная модель пластической деформации позволяет объяснить сложный характер поведения материала под нагрузкой, в том числе различное влияние скорости и температуры на величШ1у - сс - ротйвлеайТ [ тгатериала-дефг) рмацииг-явле - - - ние задержки текучести и эффекты, связанные с историей нагружения. Большое число параметров, характеризующих дислокационную структуру материала и динамику дислокаций, не позволяет на основании этой модели количественно определить поведение материала под нагрузкой. [5]

Дислокационная модель пластической деформации позволяет дать качественное объяснение и таким эффектам, как влияние температуры, скорости деформации и времени. Например, при повышенной температуре колебания в решетке, вообще говоря, облегчают перемещение дислокации. [6]

Дислокационную модель, предложенную К. С. Коффи [7.34], кратко можно изложить следующим образом. Пластическая деформация кристаллического ВВ б рассматривается как движение краевых дислокаций со скоростью Ud: б ( ж - xo) / dc, Ud ccPtu -, гДе: dc - постоянная решетки; CQ - скорость сдвиговой волны; Ptu - вероятность туннелирования дислокации через потенциальный барьер окружающей решетки и перехода в соседнюю потенциальную яму. Для Ptu можно принять приближение Гилмана: Р и exp - TO / T, где TQ - характеристический предел текучести; т - приложенное сдвиговое напряжение. При Ptu, близких к 1, что характерно для деформации во фронте УВ, в монокристаллах с dc - ( 3 - 5) 10 - 10 м при CQ 2 - 5 км / с, uj может достигать значений, присущих внутренним колебательным модам молекул В В - 1013 рад / с. Это соответствует условию быстрой резонансной диссоциации молекул. [7]

Схема образования трещин. [8]

Неизвестны дислокационные модели, объясняющие торможение дислокаций в твердой фазе под действием жидкой фазы, физически адсорбированной на первой фазе. [9]

Модификации дислокационных моделей описаны в работах [129 144, 145]; в них рассматривается аккомодация ЗГП путем движения отдельных решеточных дислокаций. В работе [145] предполагается, что дислокации, генерированные на границах, двигаются через зерна и затем переползают вдоль противоположных границ, где аннигилируют. [10]

В первой дислокационной модели предполагается правильное распределение моноатомных ступеней на поверхности растущего кристалла, что проявляется в образовании гладкой поверхности. В действительности, однако, поверхность содержит множество дефектов, которые при росте приводят к возникновению шероховатой поверхности. Структура поверхности обусловливает движение слоев и, следовательно, скорость роста. [11]

Использование сложных дислокационных моделей пластического деформирования позволяет детально описать эволюцию импульса ударно-волновой нагрузки, распространяющегося по материалу. Вместе с тем наличие в моделях многочисленных констант материала и проблематичность их определения независимыми экспериментальными методами ограничивают возможность их практического использования. В соотношениях, описывающих динамику дислокаций, не учитывается возможное влияние температуры, что допускает применение моделей в сравнительно низкой области напряжений, когда разогрев материала невелик. [12]

К дислокационным моделям относится ползучесть, контролируемая бездиффузионными механизмами. [13]

Известна также дислокационная модель ченное расположение дислокаций по границе Подвижность границы сильно ограничиваем малейших примесей. [14]

Каким образом дислокационная модель объясняет существующее большое различие между теоретической и наблюдаемой сдвиговой прочностью металлов в экспериментах. [15]

Страницы: 1 2 3 4