Поверхностная емкость
Cтраница 1
 |
Структура ( а и эквива - Если межДУ полупроводником И. [1] |
Поверхностная емкость определяется поверхностными состояниями полупроводника, которые могут отдавать в его объем электроны и захватывать дырки или, наоборот, захватывать электроны и отдавать дырки. В первом случае на поверхности полупроводника возникает положительный заряд, во втором - отрицательный. [2]
Поверхностная емкость С0 влияет также на само протекание газового разряда. Это влияние можно проследить по рис. 6 - 1, на котором вдоль поверхности изолятора показан развивающийся стример. Чем больше эта емкость, тем больших значений может достигать ток стримера, а следовательно, тем более возрастает проводимость стримера и возрастает потенциал головки стримера, что в конечном счете способствует развитию разряда. Таким образом, возрастание Со ведет к снижению разрядного напряжения по поверхности. [3]
 |
Вольт-фарадные характе - у v. [4] |
Поверхностная емкость по-прежнему будет определяться изменением заряда на внутренней границе обедненного слоя, и, поскольку протяженность обедненного слоя при наличии инверсного слоя почти не зависит от приложенного постоянного напряжения, поверхностная емкость достигает минимального значения и не изменяется при дальнейшем увеличении приложенного напряжения. [5]
Поверхностная емкость, как правило, намного превышает полезную емкость МДП-конденсатора, поэтому ее часто можно не учитывать. Однако при неправильном проектировании и изготовлении конденсатора она может существенно исказить режим работы схемы. [6]
Поверхностная емкость определяется поверхностными состояниями полупроводника, которые могут отдавать в его объем электроны и захватывать дырки или, наоборот, захватывать электроны и отдавать дырки. В первом случае на поверхности полупроводника возникает положительный заряд, во втором - отрицательный. В обоих случаях поверхностный заряд индуцирует в приповерхностной области полупроводника заряд противоположного знака. [7]
 |
Развитие разряда по поверхности проходного изолятора. [8] |
Поверхностной емкостью называется емкость конденсатора, у которого одной обкладкой является поверхность, по которой развивается разряд с одного из электродов, а другой обкладкой - противоположный электрод конструкции. [9]
Приведенные экспериментальные зависимости поверхностной емкости от частоты электромагнитных колебаний свидетельствуют о том что для данной геометрии бесконтактного преобразователя имеется верхний предел частот, при которых эта емкость стабилизируется. [10]
Для цилиндрического проходного изолятора поверхностная емкость определяется следующим образом. [11]
Это приведет к изменению поверхностной емкости, так как для нее характерна зависимость от приложенного напряжения. При изменении внешнего напряжения на 2 - 3 В емкость Са изменяется в пять-шесть раз. [12]
 |
Зависимость величины С л от частоты для. [13] |
Указанные кривые характеризуют уменьшение влияния поверхностной емкости на величину C t в зависимости от частоты. [14]
 |
Зависимость напряжения перекрытия в воздухе по поверхности бакелитового образца от длины при постоянном напряжении. Данные Г. А. Лебедева - ВЭИ. [15] |
Страницы: 1 2 3 4