Поверхностная емкость

Cтраница 2

Одной из таких мер является уменьшение удельной поверхностной емкости посредством увеличения диаметра изолятора у фланца, с которого начинается обычно разряд. [16]

Из выходной кривой можно определить также поверхностную емкость реагирующих веществ, которая замедляет рост кривой отклика соответствующего компонента. Если скорость элементарной стадии, на которую воздействует возмущение, мнеыне времени релаксации гидродинамических процессов, для всех компонентов возникает скачок концентраций. [17]

Как следует из таблицы, емкость вещества С2 и поверхностную емкость С для дайной ячейки можно считать соизмеримыми для всех продуктов. Поверхностная емкость С возрастает по мере увеличения электрической асимметрии молекул и наличия гидроксильной группы. [18]

Сокращение длины изолятора без снижения его разрядного напряжения достигается путем уменьшения удельной поверхностной емкости за счет увеличения толщины изоляции или диаметра фланца. Поскольку развитие разряда начинается от фланца, то достаточно увеличить диаметр только в этой части изолятора. [19]

Зависимость длины скользящих разрядов от напряжения при импульсах.| Зависимость напряжения перекрытия по поверхности бакелитового образца от длины. Постоянное напряжение ( по Лебедеву. [20]

При постоянном напряжении ток в каналах разряда не может замыкаться через поверхностную емкость, в результате заряды оседают на поверхности диэлектрика, постепенно выравнивая распределение напряжения. Таким образом, ионизационный ток не достигает величины, достаточной для образования термической ионизации. [21]

Эквивалентная схема МДП-конденсатора содержит полезную емкость С, последовательно соединенную с поверхностной емкостью полупроводника Cs и сопротивлением R, которое включает в себя сопротивление л - слоя и контактов. Кроме того, эквивалентная схема содержит диод Д и его емкость С относительно подложки. При изменении внешнего положительного напряжения на контакте я - слоя от 0 до 20 В коэффициент передачи сигнала от вывода А к выводу В эквивалентной схемы обычно изменяется в несколько раз. Для повышения отношения С / С необходимо подавать на П - СЛОЙ сравнительно высокое положительное напряжение. [22]

В основе вольт-фарадных методов измерения лежит электронная теория приповерхностной области пространственного заряда и дифференциальной поверхностной емкости. [23]

Согласно (5.13), емкость МДП-структуры образована последовательно соединенными емкостями Сд и Сп, а поверхностная емкость Сп - параллельно соединенными емкостями С03 и Спс - Емкость Сд определяется толщиной диэлектрика, его диэлектрической проницаемостью и не зависит от приложенного напряжения. Поверхностная емкость, напротив, характеризуется изменением поверхностного электростатического потенциала, которое зависит от приложенного напряжения. [24]

Длина канала скользящего разряда, помимо приложенного напряжения, зависит от скорости его изменения во времени и от удельной поверхностной емкости. [25]

С грозовым импульсом связаны высокие скорости изменения напряжения и, следовательно, большие токи смещения, замыкающиеся через поверхностную емкость изолятора. При / р до 2 - 3 мксек путь разряда следует всем изгибам ( включая ребра) поверхности изолятора. [26]

Появление короны на токоведущем стержне недопустимо не только при рабочем напряжении, но возникновение ее и при более высоких напряжениях вызывает увеличение удельной поверхностной емкости, приводящее к снижению разрядных напряжений И. [27]

Присоединение металлических электродов к внешней части изолятора и подача переменного напряжения к ним способствует увеличению скачка потенциалов у одной из стенок стекла ( поверхностной емкости) и, следовательно, дополнительной ориентации ( поляризации) молекул на границе раздела, а у другой стенки - уменьшению скачка потенциалов и смены картины ориентации: теперь уже у этой поверхности дипольные молекулы ориентируются к стеклу своими отрицательными зарядами. [28]

Так как на поверхности полупроводника практически всегда имеются поверхностные уровни, то их заполнение электронами существенно влияет как на приповерхностный объемный заряд, так и на дифференциальную поверхностную емкость. Рассмотрим кратко их влияние. [29]

Вольт-фарадные характе - у v. [30]

Страницы: 1 2 3 4