Запоминающая емкость
Cтраница 2
В динамических ЗУ двоичные коды хранятся на запоминающих емкостях, в качестве которых используются паразитные емкости некоторых цепей схем. В таком случае считывание информации состоит в определении, заряжены или нет запоминающие емкости. [16]
Схема динамического триггера ( на триоде П502А) с запоминающей емкостью показана на фиг. Для установки триггера в положение, соответствующее коду 1, на запоминающую емкость Ci 510 п подается импульс отрицательной полярности ( - 6 в) и заряжает ее. Напряжение конденсатора подано по цепи обратной связи на один из входов диодно-трансформаторной схемы совпадений, состоящей из обмотки трансформатора Tpi и диода Дг. На второй вход этой схемы совпадения подаются импульсы положительной полярности от специального генератора импульсов частотой в 1 Мгц. [17]
Измерение разности потенциалов между трубопроводом и вспомогательным электродом производится на запоминающей емкости, заряд которой происходит при периодическом срабатывании прерывателя тока, обеспечивающего попеременную коммутацию вспомогательного электрода с трубопроводом и с запоминающей емкостью. [19]
 |
Схема включения запоминающего устройства в режим интегрирования. [20] |
У - усилитель; Ru - нагрузка усилителя; С - запоминающая емкость; К - сопротивление, определяющее постоянную времени зарядного контура; Jк - сигнал, подлежащий интегрированию. [21]
Для получения импульсов различной полярности на выходе усилителя записи используется потенциал запоминающей емкости второго регистра памяти. Этот потенциал снимается с эмиттерного повторителя элемента второго регистра памяти и подается на вход схемы разрешения и запрещения в первом каскаде разрядного усилителя записи; фиг. [22]
 |
Схема однотранзисторного ЗЭ динамического ЗУПВ ( а и временные диаграммы, поясняющие его работу ( б. [23] |
Отметим, что при считывании информации не происходит ее разрушения, поскольку запоминающая емкость С изолирована от шины РШсч - Однако существование утечек, обусловливаемых в основном током обратносмещенного перехода транзистора 7, приводит к необходимости периодической регенерации заряда на емкости С. Регенерация хранимой информации осуществляется в результате последовательно проводимых режимов считывания и записи. [24]
На рис. 5 - 40 показан вариант коррекции дрейфа нуля УПТ с запоминающей емкостью в цепи обратной связи. Когда ключи находятся в положении /, емкость заряжается до напряжения, приблизительно равного напряжению дрейфа едр. При переводе ключей в положение 2 напряжение на емкости продолжает действовать на входе балансного каскада, обеспечивая коррекцию дрейфа в рабочем цикле. [25]
Если в данном разряде считан код 1, вентиль-усилитель усилителя считывания своим импульсом заряжает запоминающую емкость Ci элемента регистра и при подаче разрядного импульса, соответствующего данному разряду на выходе схемы совпадения, появится импульс, который через диод Д7 пройдет на выходной усилитель МОЗУ. [26]
 |
Схема ЗЭ статического ЗУПВ на п. [27] |
В динамических элементах ЗУПВ на транзисторах МДП-типа хранение информации отождествляется с хранением некоторого заряда на запоминающей емкости, включенной параллельно с затвором информационного транзистора. [28]
Поскольку время опроса может быть сделано достаточно большим, определяемым Только допустимыми потерями из-за разрядки запоминающей емкости, то систему из групп УВХ можно применить для запоминания формы сигнала, Которая затем уже используется для анализа в графическом или цифровом: виде. [29]
При считывании О транзистор Т2 не открывается после уменьшения напряжения на числовой шине ЧШ, поскольку запоминающая емкость заряжена и этот заряд удерживает транзистор Т2 в закрытом состоянии. В течение фазы регенерации ( напряжение на числовой шине ЧШ2 высокое) транзистор 7 также не открывается, так как напряжение на разрядной шине РШ также высокое и t / вэ. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5