Запоминающая емкость

Cтраница 4

Для измерения разности потенциалов между трубопроводом и ВЭ могут быть использованы вольтметры с прерывателем тока ( например, прибор типа 43313) либо прерыватель тока с запоминающей емкостью ( например, типа ПТ-1) в комплекте с вольтметром с внутренним сопротивлением не менее 20 кОм на 1 В шкалы. [46]

Измерение разности потенциалов между трубопроводом и вспомогательным электродом производится на запоминающей емкости, заряд которой происходит при периодическом срабатывании прерывателя тока, обеспечивающего попеременную коммутацию вспомогательного электрода с трубопроводом и с запоминающей емкостью. [47]

Рассмотрим схему ( блока ( рис. 28), построенного па этом принципе. Каждая ячейка имеет две запоминающие емкости С, причем все ячейки однотипны. Отличие данной схемы от подобных состоит в том, что за каждый такт ( работы происходят считывание информация с одного конденсатора и одновременная запись сигнала яа другой. Это позволяет получить большую точность воспроизведения сигнала при том же количестве ячеек. [48]

В режиме хранения информации ( рис; 6.18, в) на числовой Шине 4Utt устанавливается низкий уровень напряжения, на числовой Шине ЧШ1 - высокий уровень напряжения, на разрядной шине РШ - высокий уровень напряжения. В периоды между регенерациями запоминающая емкость Скв сохраняет свое заряженное ( разряженное) состояние. При хранении Г емкость разряжена, напряжение между базой и коллектором транзистора Т2 близко к нулю; при хранении О емкость заряжена, причем напряжение на базе транзистора Т2 много ниже уровня напряжений на коллекторе и близко к уровню 1 / БЭ 0 7 В. [49]

При коде 0 импульсы на выходе динамического триггера отсутствуют. Блок-схема динамического триггера с запоминающей емкостью показана на фиг. [50]

Выбрав и10, выполняем деление переносом запятой при отсчете. Алгебраическое суммирование величин, хранящихся на запоминающих емкостях, получим при последовательном их соединении ( синфазно - сложение, противофазно - вычитание) на входе считывающего усилителя. [51]

С выхода усилителя ( сопротивления R19, R20) импульс напряжения, пропорциональный измеряемому току, подается через диод Л4 а запоминающую емкость С2, которая заряжается до амплитудного значения напряжения. Диод Л4 включен таким образом, чтобы запоминающая емкость С2 не могла разряжаться на выходные цепи усилителя. Параллельно запоминающей емкости С2 включено через кнопку / С / сопротивление R23, предназначенное для разряда емкости при сбросе показаний прибора. [52]

Аналоговый коммутатор с отрицательной обратной связью. [53]

Лучшие соотношения обеспечивает схема коммутатора, построенного на основе диодного моста, ( рис. 17.5), так как вследствие симметрии управляющих сигналов емкостное влияние диодов коммутатора взаимно компенсируется. В этой схеме можно использовать значительно меньшие величины запоминающей емкости, а время установки может быть снижено с 500 не ( для схемы на полевом транзисторе) до 20 не. [54]

Схема шеститранзисторного ЗЭ динамического ЗУПВ.| Схема четырехтранзисторного ЗЭ динамического ЗУПВ ( а и временные диаграммы, поясняющие режим регенерации информации ( 6. [55]

Ом, заряд указанной емкости может сохраняться доли и единицы секунд. Восстановление уменьшающегося с течением времени информационного заряда на запоминающей емкости осуществляется в результате периодического подключения конденсатора к источнику питания. Известны различные модификации элементов динамических ЗУПВ ( см. [27]), отличающиеся в первую очередь количеством образующих их транзисторов ( от шести до одного), числом и функциональным назначением общих шин, последовательностью и характеристиками тактовых импульсов и, как следствие, быстродействием, мощностью потребления и площадью, занимаемой на кристалле. [56]

Для надежной работы цепей считывания и опроса Необходимо, чтобы транзистор Т3 был хорошо открыт. Однако первоначальный уровень напряжения на затворе Т3 падает из-за токов утечки запоминающей емкости. [57]

Схема динамического триггера ( на триоде П502А) с запоминающей емкостью показана на фиг. Для установки триггера в положение, соответствующее коду 1, на запоминающую емкость Ci 510 п подается импульс отрицательной полярности ( - 6 в) и заряжает ее. Напряжение конденсатора подано по цепи обратной связи на один из входов диодно-трансформаторной схемы совпадений, состоящей из обмотки трансформатора Tpi и диода Дг. На второй вход этой схемы совпадения подаются импульсы положительной полярности от специального генератора импульсов частотой в 1 Мгц. [58]

В динамических ЗУ двоичные коды хранятся на запоминающих емкостях, в качестве которых используются паразитные емкости некоторых цепей схем. В таком случае считывание информации состоит в определении, заряжены или нет запоминающие емкости. [59]

При проектировании ЗУ на основе МДП-структур применяются два вида ячеек памяти - статические и динамические. В первом случае элементом хранения является триггер на МДП-транзисторах, а во втором - запоминающая емкость затвора МДП-транзистора. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5