Барьерная емкость - диод
Cтраница 1
Барьерная емкость диода равна 200 пФ при обратном напряжении 2 В. [1]
Поскольку барьерные емкости диодов в большинстве схем не оказывают столь же существенного влияния на выходные параметры, как Сб. ПАЭС барьерная емкость принимается постоянной и равной Сб, измеренной при u tii, где I - типичное среднее значение обратного напряжения на диоде в рассматриваемой схеме или классе схем. [2]
 |
Схема включения диода с нагрузкой и построение линии нагрузки. [3] |
С повышением температуры несколько возрастает барьерная емкость диода. [4]
Сбар - Спер конденсатора характеризует усредненную барьерную емкость диода. Наконец, при работе диода в статическом режиме с прямым напряжением эквивалентная схема может быть представлена последовательным соединением сопротивлений гтф, REx и источником ЭДС Епр. [5]
 |
Схема замещения для измерений барьерной емкости. [6] |
Сх Сп, где Сх - барьерная емкость диода, а С - паразитная емкость схемы и патрона. [7]
 |
Графики зависимости Qn-Qe P ( tat для диодов различного технологического типа. [8] |
ВОсст в определенной мере вуалируется процессом перезаряда барьерной емкости диода, который накладывается на процесс рассасывания заряда. Сравнительные результаты измерения тэфф рассмотренными методами для различных диодов приведены в таблице. [9]
При переходе в область прямых напряжений возрастает не только барьерная емкость диода, но и емкость, обусловленная накоплением неравновесного заряда в р - и п-областях структуры. [10]
С ростом рабочей частоты по ряду причин необходимо снижение барьерной емкости диода в рабочей точке. [11]
Расчет показывает, что индуктивность 5 нгн почти в 3 раза увеличивает длительность процесса перезаряда барьерной емкости диода 0 5 пф. Этот метод обладает высокой наглядностью, однако он требует сложной измерительной аппаратуры и это препятствует его применению в цеховых условиях производства полу-провидннкоьых приборов. Быстродействие применяемых стробосциллографов должно превосходить быстродействие измеряемых диодов. Поэтому границей применимости этого метода в настоящее время следует считать время восстановления порядка 0 5 нсек. При измерении процессов меньшей длительности погрешность измерения резко возрастает. [12]
 |
Динамическая модель диодной оптопары ( а и аппроксимация ВАХ излучающего диода ( б. [13] |
Участок ВАХ диода для напряжений QUU0 необходимо учитывать в излучающем диоде, из-за сильного влияния барьерной емкости диода Сбар. [14]
При сравнительно больших плотностях прямого тока через диод существенно накопление неосновных носителей в базе диода, а перезарядка барьерной емкости диода является второстепенным процессом. При малых плотностях тока переходные процессы в диоде определяются перезарядкой барьерной емкости диода, накопление же неосновных носителей заряда в базе практически не сказывается. [15]
Страницы: 1 2