Барьерная емкость - диод
Cтраница 2
При сравнительно больших плотностях прямого тока через диод существенно накопление неосновных носителей в базе диода, а заряд и разряд барьерной емкости диода является второстепенным процессом. При малых плотностях тока переходные процессы в диоде определяются зарядом и разрядом барьерной емкости диода, накопление же неосновных носителей в базе практически не сказывается. [16]
 |
Характеристики переходных процессов в полупроводниковом диоде, работающем при больших импульсных напряжениях в схеме с генератором напряжения. [17] |
При сравнительно больших плотностях прямого тока через диод существенно накопление неосновных носителей в базе диода, а заряд и разряд барьерной емкости диода не играют роли. При малых, плотностях тока переходные процессы в диоде определяются зарядом и разрядом барьерной емкости диода, накопление же неосновных носителей в базе практически не сказывается. [18]
Ид и вых быстро нарастают с постоянной времени 9 ( Ra RT) ( СН СД), где Сд - барьерная емкость диода и Сн - емкость нагрузки. [20]
При сравнительно больших плотностях прямого тока через диод существенно накопление неосновных носителей в базе диода, а перезарядка барьерной емкости диода является второстепенным процессом. При малых плотностях тока переходные процессы в диоде определяются перезарядкой барьерной емкости диода, накопление же неосновных носителей заряда в базе практически не сказывается. [21]
При сравнительно больших плотностях прямого тока через диод существенно накопление неосновных носителей в базе диода, а заряд и разряд барьерной емкости диода является второстепенным процессом. При малых плотностях тока переходные процессы в диоде определяются зарядом и разрядом барьерной емкости диода, накопление же неосновных носителей в базе практически не сказывается. [22]
При сравнительно больших плотностях прямого тока через диод существенно накопление неосновных носителей в базе диода, а заряд и разряд барьерной емкости диода не играют роли. При малых, плотностях тока переходные процессы в диоде определяются зарядом и разрядом барьерной емкости диода, накопление же неосновных носителей в базе практически не сказывается. [23]
С увеличением частоты СДИф уменьшается, так как уменьшается накапливаемый заряд, не успевающий следовать за изменением напряжения. Барьерная емкость практически от частоты не зависит. В справочниках обычно указывается значение барьерной емкости диода при определенном значении обратного напряжения. В зависимости от площади р-п перехода sp n и его толщины d барьерная емкость полупроводниковых диодов имеет значения от десятых долей до сотен пико-фарад. [24]
С увеличением частоты Сдиф уменьшается, так как уменьшается накапливаемый заряд, не успевающий следовать за изменением напряжения. Барьерная емкость практически от частоты не зависит. В справочниках обычно указывается значение барьерной емкости диода при определенном значении обратного напряжения. В зависимости от площади р-п перехода sp n и его толщины dp n барьерная емкость полупроводниковых диодов имеет значения от десятых долей до сотен пико-фарад. [25]
 |
Структура диода с выпрямлением на контакте металл-полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма ( б. [26] |
В результате инерционность диодов с выпрямлением на контакте металл-полупроводник определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта. При малой площади нанесенного электрода ( диаметр 20 - 30 мкм) и при относительно широком потенциальном барьере из-за высокого удельного сопротивления эпитаксиального слоя барьерная емкость диода может иметь величину около 1 пф. [27]
 |
Конструкции диодов Шоттки ( Me - металл с охранным кольцом ( и и с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом ( б. [28] |
Еще одна трудность, возникающая при формировании контакта Шоттки, связана с возможностью возникновения сильных полей на краях контакта, что может приводить к существенному уменьшению напряжения пробоя диода. В этом случае диод Шоттки за-шунтирован р - п-переходом, который при прямом смещении почти не инжектирует из-за существенной разницы в размахах прямых вольт-амперных характеристик перехода Шоттки, образованного, например, между А1 и Si л-типа, и кремниевого р - / г-перехода. Хотя наличие охранного кольца не приводит к заметному накоплению неосновных носителей в п-области при прямом смещении диода Шоттки, такой способ нейтрализации краевых эффектов нельзя признать наилучшим из-за существенного увеличения барьерной емкости диода за счет емкости р - я-перехода. [29]
Страницы: 1 2