Диффузионная емкость - переход
Cтраница 1
Диффузионная емкость перехода не связана с протеканием через переход токов смещения. Однако при переходных процессах она приводит к емкостному фазовому сдвигу между током и напряжением на переходе. [1]
Диффузионная емкость перехода CD учитывает эффект накопления носителей в базе. Она зависит от величины прямого тока. [2]
Диффузионная емкость р-п перехода Сдиф образуется при действии прямого напряжения ( У0) внешнего источника. [3]
 |
Распределение потенциала в изолированном р-п переходе. [4] |
Как изменяется диффузионная емкость р-п перехода с ростом прямого тока через р-п переход. [5]
Однако при работе транзистора существенную роль также играют диффузионные емкости р-п переходов. Наличие диффузионной емкости эмиттерного перехода обусловлено изменением заряда неравновесных носителей при изменении напряжения, приложенного к эмиттерному переходу. При увеличении положительного смещения на эмиттере в базу инжектируются дырки, при уменьшении смещения они отсасываются из базы. Изменение объемного заряда дырок компенсируется притоком электронов через базовый контакт. Таким образом, изменение напряжения приводит к изменению заряда в базовой области, что эквивалентно наличию емкости. [6]
 |
Эквивалентная схема р-п перехода, работающего иа переменном сигнале. [7] |
Сравнение (8.106) с (8.88) показывает, что С представляет собой диффузионную емкость р-п перехода. [8]
Внешней цепью это воспринимается как емкость CD, которую называют диффузионной емкостью р-п перехода. [9]
В общем случае емкости Сэ и Ск включают как барьерные, так и диффузионные емкости переходов. В зависимости от режима работы транзистора ( прямого или обратного напряжения на переходе) определяется степень влияния той или иной емкости. [10]
Равные по величине, но противоположные по знаку заряды фрпизб и фпизб, накапливаемые tt - областью, и заряды ( Эпризб и Qpm5, накапливаемые р-областью, можно рассматривать как заряды конденсатора с некоторой емкостью, получившей название диффузионной емкости р-п перехода СДИф. На одной обкладке воображаемого конденсатора ( рис. 2 - 6, в) находится суммарный заряд Qn изб Qn изб, а на другой Qp изб Qpn изв. [11]
Векторные диаграммы, представленные на рис. 17.12, поясняют рассмотренные явления. С изменением частоты изменяются сопротивления барьерных и диффузионных емкостей переходов, при этом чем выше частота, тем меньше емкостное сопротивление. Барьерные емкости коллекторного и эмиттерного переходов включены параллельно р-п-переходам и примерно одинаковы, но шунтирующее действие коллекторной барьерной емкости больше, чем эмиттерной, так как сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного. Так как через барьерную емкость коллекторного перехода ответвляется часть тока, то ток коллектора уменьшается, а следовательно, уменьшаются коэффициент передачи ( усиления) тока и коэффициент усиления по мощности. [12]
Векторные диаграммы, представленные на рис. 1.36, поясняют рассмотренные явления. С изменением частоты изменяются сопротивления барьерных и диффузионных емкостей переходов, при этом чем выше частота, тем меньше емкостное сопротивление. Барьерные емкости коллекторного и эмиттерного переходов включены параллельно p - n - переходам и примерно одинаковы, но шунтирующее действие коллекторной барьерной емкости больше, чем эмиттерной, так как сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного. Так как через барьерную емкость коллекторного перехода ответвляется часть тока, то ток коллектора уменьшается, а следовательно, уменьшаются коэффициент передачи ( усиления) тока и коэффициент усиления по мощности. [13]
Электронно-дырочный переход кроме односторонней проводимости обладает электрической емкостью. Различают барьерную емкость перехода при обратном включении и диффузионную емкость перехода при прямом включении. [14]
Равные по величине, но противоположные по знаку заряды С. Рризб, накапливаемые р-областью, можно рассматривать как заряды конденсатора с некоторой емкостью, получившей название диффузионной емкости р-п перехода СДИФ - На одной обкладке воображаемого конденсатора ( рис. 2 - 6, в) находится суммарный заряд Qn изб Qn изб, а на другой Qp изб Qpn изб. [15]
Страницы: 1 2