Cтраница 2
Эквивалентная схема показана на рис. 3.8, а. В схеме Ьд - элемент индуктивности, учитывает индуктивности выводов и контактной иглы точечного диода; СКОрп, Сбар, СДф - конденсаторы, характеризующие наличие в диоде емкости корпуса, барьерной и диффузионной емкости перехода; гдиф, JRy и ГБ - резисторы, определяющие дифференциальное сопротивление и сопротивление утечки p - n - перехода, а также сопротивление базы диода. [16]
Его используют в быстродействующих импульсных переключательных схемах, в схемах детекторов малых сигналов и смесителей диапазона СВЧ. Вольт-амперная характеристика обращенного диода не имеет участка отрицательного сопротивления ( рис. 3.21 0), так как концентрация примесей в р - и л-обла-стях составляет 10 8 - 1019 см -, что соответствует границе вырождения полупроводников. Поэтому туннельный ток существует только при обратных напряжениях на переходе. Рабочим участком обращенного диода является обратная ветвь ВАХ, что отражено в его названии. Ток на рабочем участке диода обусловлен только явлениями туннелирования носителей через переход, и, следовательно, диффузионная емкость перехода Сдф 0, накопление носителей в базе диода принципиально отсутствует. Поэтому обращенный диод может работать на более высоких частотах по сравнению с обычными импульсными диодами на р-га-переходе. [17]