Cтраница 1
Транзисторные модуляторы предназначены для преобразования постоянного ( медленно меняющегося) напряжения в переменное, частота которого равна частоте управляющего ( коммутирующего) напряжения. С изменением полярности поданного на вход модулятора постоянного напряжения фаза переменного напряжения на его выходе изменяется на 180, что позволяет при обратном преобразовании сигнала выявить полярность входного напряжения. [1]
![]() |
Способы подключения нагрузки в транзисторных модуляторах.| Эквивалентные схемы источника сигнала. [2] |
Схемы транзисторных модуляторов могут быть выполнены как однополупер йодными, так и двухполупер йодными. Однопо-лупериодные характеризуются тем, что энергия источника входного сигнала поступает в нагрузку только в течение одного полупериода работы схемы. [3]
Недостатком транзисторных модуляторов является их относительно низкое входное сопротивление: 1 ком для германиевых транзисторов и 10 ком для кремниевых. [4]
Существенным недостатком транзисторных модуляторов являются также выбросы напряжения на зажимах транзисторного ключа, обусловленные переходными процессами при переключении транзистора. [5]
Качественные показатели транзисторных модуляторов в значительной степени определяются выбором типа и режима работы транзистора, характером коммутирующего источника, структурой схемы модулятора и рядом других факторов. [6]
В схемах транзисторных модуляторов транзисторы работают в таких режимах, когда они могут находиться только в двух определенных состояниях, характеризуемых резко отличающимися друг от друга параметрами. [7]
Структурно-компенсированными схемами транзисторных модуляторов называются такие, принцип работы которых требует применения нескольких транзисторных ключей, причем эти ключи включаются так, что их остаточные напряжения и токи взаимно компенсируются. [8]
В схеме транзисторного модулятора ( рис. 5.17) модулирующий сигнал мод создает на базах транзисторов VT ] и VT2 противофазные напряжения U Q и и в, обеспечивающие противоположные состояния транзисторов. [9]
![]() |
Мостовой компенсированный транзисторный модулятор со схемой подавления импульсной помехи. [10] |
Практические схемы транзисторных модуляторов строятся на основе показанных на рис. 1 - 4 схем замещения. [11]
![]() |
Способы построения систем регулирования. [12] |
В некоторых схемах транзисторного модулятора можно добиться уменьшения дрейфа нуля до величины 50 мкв и менее, что дает возможность применить транзисторные модуляторы не только в приборах центральной части системы, но и в измерительных преобразованиях сигналов низкого уровня от термопар и термометров сопротивления. [13]
В реальных схемах транзисторных модуляторов параллельно p - n - переходам транзистора включены элементы внешней цепи, которые всегда могут быть заменены эквивалентной схемой, содержащей задающий источник тока / и активное сопротивление R, включенные параллельно переходам транзистора. [14]
В-третьих, в транзисторных модуляторах лучше использовать транзисторы в инверсном включении, когда коллекторная область инжектирует носители в базовую область, а эмиттер собирает эти носители. [15]