Транзисторный модулятор

Cтраница 3

Широко распространены схемы с магнитными -, ламповыми, диодными и транзисторными модуляторами, однако их применение пока возможно лишь при входных сигналах, которые примерно на один - два порядка выше, чем в схемах с вибраторами. [31]

Для преобразования постоянного напряжения в переменное применяются также транзисторные модуляторы, представляющие собой двухтактные полупроводниковые преобразователи. [32]

Последнее практически всегда имеет место в реальных схемах транзисторных модуляторов, и, следовательно, полученные выше для параметров последовательного компенсированного ключа расчетные формулы справедливы при любом способе включения этого ключа в схеме модулятора. [33]

Схемы демодуляторов. а балансного. б - кольцевого. [34]

Более высокую чувствительность ( до 1 мВ) имеют транзисторные модуляторы. Принцип работы транзисторного модулятора поясняет рис. 15.7. К выводам база - эмиттер транзистора подается переменное напряжение Uon. [35]

Последнее обстоятельство играет существенную роль при определении порогового сигнала транзисторных модуляторов, имеющих в выходном сигнале, как это было показано выше, довольно большой уровень второй гармонической составляющей. Воздействие этой помехи приводит к тому, что усилитель часть периода работает в нелинейной области, из-за чего уменьшается среднее за период значение коэффициента усиления усилителя. [36]

В связи с этим, в ЦИП большее распространение получают транзисторные модуляторы, несмотря на их пока худшие точностные характеристики. Для транзисторных модуляторов остается в силе все сказанное ранее для транзисторных ключей и переключателей. [37]

Усредненные характеристики г3. [38]

Однополярное управление германиевыми низкочастотными транзисторами применимо лишь в низко-омных схемах транзисторных модуляторов и при низких температурах окружающей среды. При использовании германиевых высокочастотных транзисторов, имеющих при однополярном управлении большую величину г3, однополярное управление применимо в более широком диапазоне температур и в более высокоомных схемах, чем при использовании низкочастотных германиевых транзисторов. [39]

Изменение напряжения на разделительном конденсаторе и тока намагничения разделительной индуктивности. [40]

Наличие разделительной реактивной цепи накладывает дополнительные требования на структуру схемы транзисторного модулятора. [41]

Схема УПТ с преобразованием. [42]

В схеме с преобразованием ( см. рис. 75) в качестве модулятора используется схема транзисторного модулятора с двумя встречно включенными транзисторами, а в качестве фазочувствительного выпрямителя - кольцевой демодулятор. Усилитель переменного тока с емкостными связями собран на двух каскадах с общим эмиттером. [43]

Задача экспериментального исследования остаточных параметров транзисторов различных типов возникла в связи с широким применением бесконтактных транзисторных модуляторов в информационной и измерительной технике. Время работы транзисторных схем, в том числе и бесконтактных модуляторов, составляет десятки тысяч часов, что намного превышает время работы контактных модуляторов. Малые габариты, повышенная рабочая частота и другие факторы позволяют разработчикам измерительных устройств широко использовать транзисторные модуляторы. К основным недостаткам транзисторных модуляторов относится наличие остаточных сигналов ( остаточные ток и напряжение) и импульсная помеха. Учитывая важность рассматриваемого вопроса, были исследованы коммутационные характеристики наиболее перспективных транзисторов как германиевых, так и кремниевых. [44]

В качестве преобразователей сигналов постоянного тока в переменный в транзисторных измерительных усилителях постоянного тока широко используются транзисторные модуляторы. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5