Конструктивная емкость

Cтраница 1

Конструктивные емкости СК1, Ск2 внешней схемы совместно с емкостью С0 образуют суммарные емкости CI CKI CO входного и С2СК2 Со выходного контуров. [1]

Схема коаксиальной j. [2]

Конструктивная емкость С отделяет цепи постоянного тока от тракта СВЧ. Такая конструкция головки обеспечивает возможность получения коэффициента стоячей волны напряжения ( КСВН) не более 1 2 - 1 3 в диапазоне частот, составляющем примерно 20 % от средней рабочей частоты. [3]

Помимо конструктивной емкости между выводами транзистора, которая может быть прибавлена к емкости собственно перехода. [4]

При наличии конструктивной емкости С между магнитосвязанны-ми индуктивностями ( которую нельзя не учитывать на СВЧ) соотношение (3.6) не может быть применено для нахождения хопт, что приводит к необходимости специального исследования. [5]

Диэлектрические прокладки конструктивных емкостей для наглядности на рис. 2.43 зачернены. [6]

Проверяется исправность конструктивных емкостей Си-Cje, замыкающих терморезистор на корпус по высокой частоте. Для этого измеряется омметром сопротивление между корпусом статора ( массивное латунное основание) и корпусом терморезисторной камеры при вынутом терморезисторе. [7]

Схема контроля токов лампы Л г прибора ГЗ-20 ( а, б, в, г-места включения контрольных миллиамперметров. [8]

Дополнительная обратная связь для обеспечения самовозбуждения генератора создается конструктивной емкостью С2з за счет штырей, проходящих через отверстие в торце корпуса и емкостью между анодом и катодом лампы. [9]

В адаптерах, предназначенных для СВЧ транзисторов, предусмотрены конструктивные емкости, замыкающие по высокой частоте все электроды транзисторов на корпус, что необходимо для предотвращения возникновения паразитной генерации в рабочем режиме измерения. [10]

В цепи СВЧ токов рабочий терморезистор включен последовательно с конструктивной емкостью, сопротивление которой на рабочих частотах значительно меньше сопротивления терморезистора. Поэтому наличие конструктивного конденсатора не вносит дополнительных отражений в преобразователь. [11]

Переключение СИТ в биполярном режиме также включает в себя этап перезаряда конструктивных емкостей. [12]

На ток утечки влияют сопротивление изоляции, температура, влажность, наличие конструктивной емкости и заземления. Принято считать, что ток утечки является омическим током, протекающим через изоляцию БЭНП, который через устройства заземления проходит в землю в БЭНП классов I и 01 и не представляет опасности для человека. Однако наряду с омическим током утечки необходимо рассматривать и емкостный ток утечки. Следовательно, за ток утечки следует принимать сумму токов, которые могут возникать между доступными для прикосновения частями БЭНП и землей или другими доступными частями прибора. [13]

Будем полагать, что взаимные емкости между витками одной индуктивности отсутствуют, а конструктивная емкость между L и LI может быть учтена при реализации в схемной емкости С. [14]

Для реализации максимального усиления в оптимальном режиме необходимо уменьшить как емкость токоведущих дорожек, так и конструктивную емкость корпуса. При включении транзистора в схему необходимо заземлять вывод корпуса. [15]

Страницы: 1 2 3