Конструктивная емкость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Для нас нет непреодолимых трудностей, есть только трудности, которые нам лень преодолевать. Законы Мерфи (еще...)

Конструктивная емкость

Cтраница 2


Согласование в таких конструкциях достигается путем оптимизации по величинам регулирующих емкостей, которые могут быть или емкостями варикапов ( плавно-регулируемые фазовращатели), или конструктивными емкостями, коммутируемыми на экранирующий корпус р - i - n - диодами. Хорошее согласование достигается лишь при тщательном подборе емкостей регулирующих элементов.  [16]

При монтаже микросхем необходимо предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей, а между выводами 13 и 14 должна быть обеспечена минимальная конструктивная емкость.  [17]

18 Эквивалентная электрическая схема электродного преобразователя.| Упрощенная эквивалентная, электрическая схема электродного преобразователя. [18]

При допущении, что активное сопротивление не зависит от частоты напряжения на электродах, легко заметить, что с возрастанием со относительное влияние емкости двойного слоя на модуль полного сопротивления уменьшается, а конструктивной емкости Ск - увеличивается.  [19]

20 Смесительные камеры см и мм диапазонов волн с диодами патронного ( а, б, коаксиального ( в и волноводиого ( г типов. [20]

СВЧ тока в месте перехода одного отрезка в другой. Находящаяся в этом месте небольшая конструктивная емкость ( 5 - 7 яф), образованная изолирующими опорными шайбами, является полезной, поскольку она усиливает действие СВЧ дросселя. Конструкция верхнего СВЧ дросселя на рис, 2 10 с отличается от нижнего тем, что короткозамкнутый Я / 4-отрезок заполнен фторопластом-4 ( по конструктивным соображениям) и находится внутри отрезка с низким W, ибо в противном случае диаметр первого отрезка был бы слишком велик и в нем могли бы возникнуть колебания высших типов.  [21]

22 Зависимость коэффициента прямой передачи тока в схеме с ОЭ от режима смещения по току для транзистора ГТ328.| Зависимость коэффициента обратной связи транзистора ГТ328 от тока эмиттера для различных частот измерения. [22]

Кривые сняты при заземленном корпусе ( Сэк 0 08 пФ) и при незаземленном корпусе ( Сэк 0 22 пФ) транзистора. Видно, что уменьшение конструктивной емкости дает существенное уменьшение коэффициента обратной передачи в области малых токов. Аналогичный результат получается и при сокращении размеров токоведущих дорожек транзистора.  [23]

Сигнализатор типа СУС ( рис. 14) работает следующим образом. Чувствительный элемент 2, представляющий собой конструктивную емкость или индуктивность, включен в резонансный контур, куда подается напряжение от генератора / фиксированной частоты. При появлении контролируемой среды в зоне чувствительного элемента увеличиваются потери в контуре и уменьшается напряжение / высокой частоты на нем. Напряжение питания генератора и порогового элемента стабилизировано параметрическим стабилизатором.  [24]

Блок высокой частоты представляет собой две коаксиальные линии, одна из которых является резонатором генератора, а другая - усилителя. Резонатор генератора связан с катодом лампы усилителя регулируемой конструктивной емкостью связи.  [25]

Перестройка анодно-сеточного контура осуществляется бесконтактным плунжером типа дроссельный колпачок с фиксированной конструктивной емкостью, помещенной на входе плунжера. Фиксированная емкость образована отрезком низкоомной коаксиальной линии и служит для уменьшения длины анодно-сеточного контура.  [26]

Связь детектора с полем волновода осуществляется через зонд цилиндрической формы. Для замыкания цепи постоянного тока в детекторную головку вставлено дисковое сопротивление, а для замыкания СВЧ токов - конструктивная емкость, выполненная в виде анодированной втулки. Выход детекторной головки по низкой частоте заканчивается разъемом.  [27]

Диоды, предназначенные для высокоскоростных систем, должны иметь емкости величиной в несколько пикофарад и менее. Емкость диода pin - типа представляет собой емкость контактов р, i и п слоев, а также конструктивные емкости элементов подключения и крепления.  [28]

29 Эквивалентные схемы варикапов для области низших ( а и высших ( б частот.| Зависимости добротности варикапа от частоты ( а и обратного напряжения ( б. [29]

Эквивалентные схемы варикапа аналогичны эквивалентным схемам диодов. В полной моделирующей схеме ( рис. 9 - 28) учитываются емкость р-п перехода С, утечка g, шунтирующая запертый р-п переход, сопротивление выводов г ( в том числе объемное сопротивление полупроводниковой пластинки), собственная индуктивность LM выводов и конструктивная емкость См корпуса и выводов. Элементы LM и См оказываются существенными лишь в области СВЧ, причем их присутствие может привести к заметным отклонениям действующей емкости варикапа от емкости С p - n - перехода. Роль активного сопротивления г и проводимости утечки g с изменением рабочей частоты изменяется.  [30]



Страницы:      1    2    3