Cтраница 2
Согласование в таких конструкциях достигается путем оптимизации по величинам регулирующих емкостей, которые могут быть или емкостями варикапов ( плавно-регулируемые фазовращатели), или конструктивными емкостями, коммутируемыми на экранирующий корпус р - i - n - диодами. Хорошее согласование достигается лишь при тщательном подборе емкостей регулирующих элементов. [16]
При монтаже микросхем необходимо предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей, а между выводами 13 и 14 должна быть обеспечена минимальная конструктивная емкость. [17]
Эквивалентная электрическая схема электродного преобразователя.| Упрощенная эквивалентная, электрическая схема электродного преобразователя. [18] |
При допущении, что активное сопротивление не зависит от частоты напряжения на электродах, легко заметить, что с возрастанием со относительное влияние емкости двойного слоя на модуль полного сопротивления уменьшается, а конструктивной емкости Ск - увеличивается. [19]
Смесительные камеры см и мм диапазонов волн с диодами патронного ( а, б, коаксиального ( в и волноводиого ( г типов. [20] |
СВЧ тока в месте перехода одного отрезка в другой. Находящаяся в этом месте небольшая конструктивная емкость ( 5 - 7 яф), образованная изолирующими опорными шайбами, является полезной, поскольку она усиливает действие СВЧ дросселя. Конструкция верхнего СВЧ дросселя на рис, 2 10 с отличается от нижнего тем, что короткозамкнутый Я / 4-отрезок заполнен фторопластом-4 ( по конструктивным соображениям) и находится внутри отрезка с низким W, ибо в противном случае диаметр первого отрезка был бы слишком велик и в нем могли бы возникнуть колебания высших типов. [21]
Кривые сняты при заземленном корпусе ( Сэк 0 08 пФ) и при незаземленном корпусе ( Сэк 0 22 пФ) транзистора. Видно, что уменьшение конструктивной емкости дает существенное уменьшение коэффициента обратной передачи в области малых токов. Аналогичный результат получается и при сокращении размеров токоведущих дорожек транзистора. [23]
Сигнализатор типа СУС ( рис. 14) работает следующим образом. Чувствительный элемент 2, представляющий собой конструктивную емкость или индуктивность, включен в резонансный контур, куда подается напряжение от генератора / фиксированной частоты. При появлении контролируемой среды в зоне чувствительного элемента увеличиваются потери в контуре и уменьшается напряжение / высокой частоты на нем. Напряжение питания генератора и порогового элемента стабилизировано параметрическим стабилизатором. [24]
Блок высокой частоты представляет собой две коаксиальные линии, одна из которых является резонатором генератора, а другая - усилителя. Резонатор генератора связан с катодом лампы усилителя регулируемой конструктивной емкостью связи. [25]
Перестройка анодно-сеточного контура осуществляется бесконтактным плунжером типа дроссельный колпачок с фиксированной конструктивной емкостью, помещенной на входе плунжера. Фиксированная емкость образована отрезком низкоомной коаксиальной линии и служит для уменьшения длины анодно-сеточного контура. [26]
Связь детектора с полем волновода осуществляется через зонд цилиндрической формы. Для замыкания цепи постоянного тока в детекторную головку вставлено дисковое сопротивление, а для замыкания СВЧ токов - конструктивная емкость, выполненная в виде анодированной втулки. Выход детекторной головки по низкой частоте заканчивается разъемом. [27]
Диоды, предназначенные для высокоскоростных систем, должны иметь емкости величиной в несколько пикофарад и менее. Емкость диода pin - типа представляет собой емкость контактов р, i и п слоев, а также конструктивные емкости элементов подключения и крепления. [28]
Эквивалентные схемы варикапов для области низших ( а и высших ( б частот.| Зависимости добротности варикапа от частоты ( а и обратного напряжения ( б. [29] |
Эквивалентные схемы варикапа аналогичны эквивалентным схемам диодов. В полной моделирующей схеме ( рис. 9 - 28) учитываются емкость р-п перехода С, утечка g, шунтирующая запертый р-п переход, сопротивление выводов г ( в том числе объемное сопротивление полупроводниковой пластинки), собственная индуктивность LM выводов и конструктивная емкость См корпуса и выводов. Элементы LM и См оказываются существенными лишь в области СВЧ, причем их присутствие может привести к заметным отклонениям действующей емкости варикапа от емкости С p - n - перехода. Роль активного сопротивления г и проводимости утечки g с изменением рабочей частоты изменяется. [30]