Cтраница 3
Достоинство нелинейной инжекционной модели Эберса - Молла в том, что она позволяет прочувствовать процессы, происходящие в транзисторе. Диоды Д и Д2 модели отражают переходы база - эмиттер и база - коллектор. [31]
![]() |
Форма выходного то.| Эквивалентная схема тр анзистора для расчета времени нарастания и спада по Моллу. [32] |
На рис. 4.7 приведена эквивалентная схема Молла [4.5] для расчета времени нарастания. [33]
![]() |
Инжекционный ( а и передаточный ( б варианты упрощенной модели Эберса - Молла.| Модифицированная упрощенная модель эберса - Молла с одним генератором тока ( а и линейная гибридная я-мо. [34] |
Рассмотрим несколько вариантов моделей Эберса - - Молла, которые условно можно разделить на упрощенные и дополненные, учитывающие эффекты накопления зарядов в транзисторе. [35]
![]() |
Ключи с общим эмиттером и общим коллектором. [36] |
Для проведения расчетов по уравнениям Эберса - Молла нужно знать как нормальные, так и инверсные параметры транзистора. [37]
Вскоре после этих исследований появилась работа Дарнелла и Молла ( 1956 г.), подробно рассмотревших движение порошкообразного материала в зоне питания червячного экструдера. [38]
![]() |
Транзисторная схема.| Модель транзистора. [39] |
Гаммела [1968], обобщающую классическую модель Эберса и Молла. [40]
Первые формулы для расчета времени рассасывания были предложены Моллом. [41]
![]() |
Двумерная распределенная модель транзистора при работе в нормальной активной области.| Двумерная нелинейная модель п-р - - транзистора в интегральной схеме с изолирующими р - - переходами. [42] |
Здесь каждая секция представляет собой модифицированную модель Эберса и Молла. Эти секции связаны между собой через сопротивления участков базы. Модель предназначена для нормального активного режима работы пленарного транзистора. [43]
![]() |
Зависимость базового и коллекторного токов транзистора от напряжения между базой и эмиттером. [44] |
В дальнейшем вы увидите, как уравнение Эберса - Молла помогает решить эту проблему. [45]