Молл

Cтраница 4

Упрощенная нелинейная модель биполярного транзистора. [46]

Статическая схема замещения транзистора в упрощенной модели Эберса - Молла имеет вид, показанный на рис. 2.9. Определим для этой схемы аналитические выражения, связывающие токи и напряжения электродов в статическом режиме, и будем считать, что положительными значениями токов и напряжений являются те, направления которых соответствуют режиму насыщения: токи, втекающие в базу и коллектор; вытекающий ток эмиттера; напряжения прямых смещений переходов. Принятое положение объясняется тем, что анализ режима насыщения с помощью нелинейной модели наиболее важен. [47]

Раствор 3-тиенилмеркалтида лития получают из 134 г ( 0 82 молл) 3-бром-тиофена ( см. № 203 примечание 2), 52 5 г ( 0 82 моля) бутиллития в 1 л эфира и 26 3 г ( 0 82 г-ат. Выделившийся тиол экстрагируют эфиром. После высушивания прокаленным MgSQ4 и отгонки эфира получают остаток - тиол ( 75 - 85 г), который без перегонки используют для получения трег-бутил-3 - тиенилсульфида. [48]

На рис. 4.31 представлена эквивалентная схема модифицированной модели Эберса и Молла, там же показаны принятые положительные направления токов во всех цепях модели и полярности напряжений как на переходах транзистора, так и между внешними выводами. [49]

Вскоре после исследования движения жидкости появилась известная работа Дарнелла и Молла ( 1956 г.), подробно рассмотревших движение порошкообразного материала в зоне питания червячного экструдера. [50]

Уравнение для / к известно под названием уравнение Эберса - Молла. Оно описывает также зависимость тока от напряжения для диода. Бэ точно соблюдается в большом диапазоне токов, обычно от наноампер до миллиампер. На рис. 2.31 приведен график этой зависимости. [51]

Эквивалентная схема р - п - р-транзистора по Эбер-су - Моллу для постоянного тока показана на фиг. [52]

Основными недостатками моделей транзистора, полученных путем модификации модели Эберса - Молл а, являются отсутствие непосредственной физической интерпретации таких параметров, как / э 0, / к-0, faN, faH, и синтез конфигурации эквивалентной схемы на основе эмпирического подхода. Следствием этих недостатков являются трудности определения формул связи ряда электрических и структурных параметров модели и невозможность построения более точных многосекционных моделей путем развития двухсекционной модели Эберса - Молла. [53]

При анализе статических режимов работы транзистора удобно пользоваться формулами Эберса - Молла, которые содержат нормальные и инверсные значения параметров и пригодны для любого сочетания полярностей напряжений на переходах. [54]

Биполярный транзистор описан в ППП в соответствии с моделью Эберса - Молла. Модель описывается 15 параметрами: IS - сила тока насыщения эмиттерного перехода; VT - тепловой потенциал перехода; N1 - сила тока насыщения коллекторного перехода; NV - постоянная эмиссии перехода база - коллектор; TF и TR - среднее время пролета носителей через базу при нормальном и инверсном включениях; СЕ и СС - барьерная емкость эмиттерного и коллекторного переходов; FI - контактная разность потенциалов; GA - показатель степени в выражении для барьерной емкости; GZ - выходная проводимость при нулевом смещении; NQ - коэффициент пропорциональности в выражении для выходной проводимости; AF и AR - коэффициенты усиления силы тока в нормальном и инверсном включениях; GS - максимальная проводимость перехода. [55]

Для выполнения детальных расчетов импульсных схем в процессе их отработки по методике Молла или Агаха-ияна могут использоваться параметры обращенного транзистора, хотя, на наш взгляд, необходимость в таких расчетах далеко не всегда очевидна. С нашей точки зрения, вполне достаточно параметров, приведенных выше в пп. [56]

Транзисторы в схемах могут замещаться библиотечными моделями ( модификациями моделей Эберса и Молла и Линвилла) с параметрами, изменяемыми по желанию использователя. Линии связи заменяются эквивалентной схемой, соответствующей длинной линии без потерь. [57]

Одной из наиболее распространенных математических моделей биполярного транзистора является модель Эбер-са - Молла. Схема замещения, соответствующая этой математической модели для п-р - п транзистора, показана на рис. 6.11. Диоды Дэ и Дк замещают р-п переходы транзистора ( через них протекают инжекционные токи эмиттера / э и коллектора Ук), а зависимые источники тока а / / к и jv / э моделируют взаимодействие переходов через базу транзистора. Инерционные свойства транзистора отражаются диффузионными Сдиф и барьерными Сбар емкостями. Резисторы гээ, Гкк, ГБ замещают сопротивления слоев эмиттера, коллектора и базы соответственно. [58]

Статические режимы работы транзистора обычно анализируют с помощью математической модели Эберса - Молла. В такой эквивалентной схеме каждому р-п-пере-ходу соответствует диод. Взаимодействие p - n - переходов в транзисторной структуре отражено в эквивалентной схеме введением генератора тока с бесконечно большим внутренним сопротивлением. [59]

Таким образом, можно определить все параметры практически в модели Эберса - Молла и составить эквивалентную схему транзистора. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5