Потенциальный барьер - эмиттерной переход
Cтраница 1
 |
Полупроводниковые триоды. [1] |
Потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается, а коллекторного увеличивается. На эмиттерном переходе имеет место ин-жекция электронов из n - области в область р и дырок. [2]
Уменьшение потенциального барьера эмиттерного перехода вызывает увеличение диффузионного тока - дырки переходят из эмиттера в базу, а электроны, наоборот - из базы в эмиттер. [3]
 |
Структура ( а, схема включения ( б и условное обозначение ( в фототранзистора. [4] |
Из-за уменьшения высоты потенциального барьера эмиттерного перехода увеличивается инжекция дырок из эмиттера в базу. Соответственно возрастает и ток коллектора. Результирующий ток коллектора / ф р / ф, откуда следует, что фототранзисторы отличаются от фотодиодов значительно большей интегральной чувствительностью, достигающей 0 5 А / лм. [5]
 |
Структура ( а, движение носителей заряда ( б, в и потенциальный барьер ( г, д р - п - р-транзистора. [6] |
Под действием внешнего напряжения потенциальный барьер эмиттерного перехода уменьшается и дырки из эмиттера переходят ( инжектируются) в область базы. [7]
 |
Структуры фотоприемников с внутренним усилением. [8] |
Поэтому поле объемных зарядов снижает потенциальный барьер эмиттерного перехода, вызывая дополнительную инжекцию дырок в базу. Фототок в данном случае играет роль тока базы. [9]
При уменьшении входного напряжения тормозящее действие потенциального барьера эмиттерного перехода возрастает, а эмиттерный ток уменьшается по величине. Это вызывает уменьшение коллекторного тока и, следовательно, увеличение сопротивления коллекторного перехода. Напряжение источника Ек распределится в схеме следующим образом: на сопротивлении коллекторного перехода оно увеличится, а на сопротивлении нагрузки уменьшится. [10]
 |
Электродные токи в транзисторе ( а, распределение потенциала ( б и концентрации неравновесных носителей в базе при. различных токах эмиттера ( в. [11] |
При подключении прямого эмиттерного напряжения происходит уменьшение потенциального барьера эмиттерного перехода и появляется ток эмиттера. [12]
Электроны, не обладающие энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера эмиттерного перехода, проникают на некоторое расстояние внутрь перехода и могут быть захвачены там ловушками. Такие захваченные электроны затем или рекомбинируют с оказавшейся вблизи дыркой, или, освободившись из ловушки, уносятся электрическим полем перехода в область эмиттера. По мере снижения уровня инжекции вероятность первого процесса ( рекомбинации) уменьшается, а второго ( возвращения в эмиттер) - растет, что приводит к увеличению связанных с этим процессов шумов. С другой стороны, при снижении рабочего тока, а значит, и его дробового шума, растет относительная роль шума, обусловленного захватом и последующим освобождением электронов. [13]
 |
Спектральная характеристика германиевого фотодиода.| Схема включения фототриода. [14] |
Отрицательный объемный заряд электронов, скапливающихся в области базы, снижает потенциальный барьер эмиттерного перехода, что увеличивает число дырок, инжектированных эмиттером. Часть этих дырок рекомби-нирует в базе, а большая часть проходит через коллекторный переход и увеличивает коллекторный ток и ток, текущий во внешней цепи. [15]
Страницы: 1 2 3 4