Потенциальный барьер - эмиттерной переход
Cтраница 2
 |
Потенциальные диаграммы бездрейфового транзистора p - n - р тша при отсутствии ( а и наличии ( б внешнего электрического поля. [16] |
При включении транзистора во внешнюю цепь с указанной на рис. 2.2, б полярностью напряжения высота потенциального барьера эмиттерного перехода снижается, а коллекторного - возрастает, что обусловлено соответствующим смещением p - n - переходов. Снижение высоты потенциального барьера эмиттерного перехода вызывает инжекцкю дырок через этот переход, и их концентрация в базовой области у эмиттерного перехода возрастает. [17]
 |
Включение транзистора схеме с общей базой. [18] |
Действительно, чтобы инжектировать в базу носители, требуется произвести относительно небольшую работу, так как высота потенциального барьера эмиттерного перехода невелика. Дойдя до коллекторного перехода, носители попадают в ускоряющее поле. В коллекторном переходе существует значительная разность потенциалов, следовательно, ток, по величине равный эмиттерному, может пройти через большое сопротивление нагрузки. [19]
Когда входной сигнал подается на базу, напряжение сигнала модулирует потенциал базовой области и, следовательно, модулирует потенциальный барьер эмиттерного перехода. На коллекторный переход от источника коллекторного напряжения подается обратное напряжение смещения до состояния Насыщения, и, следовательно, на коллекторный переход существенно не влияет напряжение малого сигнала. [20]
 |
Структура, ВАХ и энергетические диаграммы диодного тиристора. [21] |
Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме и-базы, образует избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьера правого эмиттерного перехода, вызывает увеличение инжекции дырок из р-эмиттера в / г-базу. Инжектированные дырки диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают в р-базу. Дальнейшему их продвижению по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер левого эмиттерного перехода. Следовательно, в р-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обусловливает увеличение инжекции электронов из n - эмиттера. [22]
Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме n - базы, образует избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьера правого эмиттерного перехода, вызывает увеличение инжекции дырок из р-эмиттера в n - базу. Дальнейшему их продвижению по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер левого эмиттерного перехода. Следовательно, в р-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обусловливает увеличение инжекции электронов из n - эмиттера. [23]
Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ гвх dU3s / dI3 ( при С / КБ const) очень мало и составляет единицы - десятки ом, так как небольшое изменение напряжения эмиттера значительно влияет на высоту потенциального барьера эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении, и, следовательно, на ток эмиттера. [24]
Оцв Укэ - бэ) - При таком включении источников Еъ и Ец распределение потенциалов в транзисторе имеет вид, показанный на рис. 1.6 6 сплошной линией. Потенциальный барьер эмиттерного перехода, смещенного в прямом направлении, снижается, на коллекторном переходе потенциальный барьер увеличивается. [25]
ЕЬ подан на базу, плюс - на эмиттер), а на коллекторном переходе - обратное напряжение ( минус источника ЕК. Потенциальный барьер эмиттерного перехода, смещенного в прямом направлении, снижается, на коллекторном переходе потенциальный барьер увеличивается. [26]
При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода - произойдет так называемое смыкание переходов. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается ( рис. 4.11), возрастает ток эмиттера, а значит, и ток коллектора. По внешним признакам смыкание напоминает пробой или короткое замыкание эмиттера с коллектором. Таким образом, смыкание переходов является одной из причин, ограничивающих напряжение коллектопа. [27]
При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода - произойдет так называемое смыкание переходов. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается ( рис. 4.11), возрастает ток эмиттера, а значит, и ток коллектора. По внешним признакам смыкание напоминает пробой или короткое замыкание эмиттера с коллектором. Таким образом, смыкание переходов является одной из причин, ограничивающих напряжение коллектора. [29]
Страницы: 1 2 3 4