Дополнительный потенциальный барьер

Cтраница 1

Схематическое изображение двух стадий ( а и б разделения транзистора р-п-р-п на два условных триода р-п - р и п-р - п. [1]

Дополнительный потенциальный барьер в коллекторе принято обычно называть ловушкой, в связи с чем структуру типа р-п-р-п иногда называли транзистором с ловушкой в коллекторе. [2]

В установках первой группы тем или иным способом создается дополнительный потенциальный барьер для ионов. [3]

Плотность тока, проходящего через зазор с пространственным зарядом, значительно меньше, так как электроны должны преодолеть дополнительный потенциальный барьер. [4]

При больших степенях заполнения и при повышении плотности адсорбционного слоя может возникнуть резкое торможение электродного процесса благодаря возникновению дополнительного потенциального барьера. Последний может быть обусловлен дополнительным затруднением проникновения деполяризатора через плотный адсорбционный слой. [5]

Расположение и ход i - ф-кривых находятся в полном соответствии с теорией адсорбционной химической поляризации, согласн которой адсорбционные слои добавок на границе раздела электрод - электролит создают дополнительный потенциальный барьер, резко увеличивающий необратимость электрохимических процессов. [6]

Зонные модели N - р - ( а, б и Р - n - плавных ( в, г гетеропереходов при нулевом смещении ( а, в и смещении в пропускном направлении ( б, г. [7]

Как видно из рис. 3.14 и 3.15, наличие разрывов зон в резких N - р - и Р - тг-гетеропереходах ( на первом месте стоит обозначение типа проводимости широкозонного материала) приводит к возникновению дополнительных потенциальных барьеров ( пичков), препятствующих разделению неосновных носителей заряда. В N-р-гетеропереходе барьер в зоне проводимости препятствует разделению электронов ( рис. 3.14, б, в), а в р - re - гетеропереходе ( рис. 3.15) барьер в валентной зоне препятствует разделению дырок, генерированных в узкозонном материале. [8]

Таким образом, совокупность имеющихся данных показывает, что причиной затруднения при осаждении вольфрама и молибдена из водных растворов является большая склонность этих металлов к пассивации. Пассивная пленка на поверхности электрода создает дополнительный потенциальный барьер для разряда ионов металла. [9]

В соответствии с теорией процессов на неоднородных поверхностях [22], энергия активации линейно зависит от степени заполнения поверхности. Изменение энергии активации в присутствии ПАВ можно связать с возникновением дополнительного потенциального барьера, который создается адсорбированной частицей ПАВ на пути переноса заряда. В связи с этим, как отмечают Ф. И. Данилов и М. А. Лошкарев [37], оба эти эффекта зачастую невозможно отделить друг от друга. [10]

Наличие на границах соединений ( и в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока в создаваемых - - структурах. Возможные загрязнения поверхности соединения пластин электрически активными примесями являются причиной появления в многослойных композициях паразитных р-я-переходов, а также ловушек для носителей заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере определяют генерационно-рекомбина-ционные характеристики высокоомных рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их качеством. [11]

Ранее одним из авторов было показано, что трибутиловый эфир фосфорной кислоты является эффективным ингибитором при восстановлении на ртухном капающем электроде целого ряда ионов металлов, в том числе 5п2ф и Р ] 1, Прл. Только введение ионов иода, обладающих наибольшим деполяризующим действием, приводит к исчезновению дополнительного потенциального барьера, возникающего при образовании адсорбционного слоя добавки на электроде. [12]

Многочисленный опытный материал по изучению влияния адсорбционных пленок на кинетику катодного выделения металлов на ртути и на твердых электродах подтвердил высказанное предположение о том, что в определенных границах потенциалов вблизи точки нулевого заряда поверхности возможно образование плотных, почти не проницаемых для разряжающихся ионов адсорбционных слоев. Присутствие последних на электроде приводит к резкому снижению скорости электродных процессов вследствие образования дополнительного потенциального барьера для разряжающихся ионов. [13]

Если бы подвижность носителей заряда в приповерхностном слое была та же, что и в объеме, то поверхностный потенциал, при котором получается минимальная проводимость, определить было бы довольно просто. Однако подвижность носителей заряда в приповерхностном слое ограничена поверхностью, а при наличии инверсного слоя еще и дополнительным потенциальным барьером. Подвижность падает с увеличением изгиба зон. [14]

Транзистор типа NPN. [15]

Страницы: 1 2