Дополнительный потенциальный барьер - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Неудача - это разновидность удачи, которая не знает промаха. Законы Мерфи (еще...)

Дополнительный потенциальный барьер

Cтраница 2


Этот транзистор подобен РЛ / Р - транзистору, описанному выше, за исключением того, что он имеет дополнительную W-область на коллекторе. Вспоминая приведенные выше рассуждения относительно РЛ / - перехода, можно проследить качественно изменения потенциальной энергии дырки в такой конструкции. Основной разницей является наличие дополнительного потенциального барьера в коллекторе, который часто называют ловушкой. Дырки, попавшие в эту ловушку, стремятся уменьшить потенциальный барьер для электронов, пришедших с коллектора. В результате захватывающего действия электронный ток, текущий от коллектора к базе, значительно больше, чем дырочный ток, текущий к коллектору. Поэтому имеет место усиление по току, так что на каждую единицу тока, текущего через эмиттер, приходится несколько единиц тока, текущего через коллектор.  [16]

Переход дислоцируемого атома в междоузлие связан с раздвиганием атомов вокруг нового положения атома в междоузлии. В окрестностях дислоцируемого атома решетка оказывается, таким образом, сильно деформированной. Эта деформация требует большой затраты энергии, так как создает дополнительный потенциальный барьер, который необходимо преодолеть при перемещении атома из регулярного положения в междоузлие.  [17]

18 Потенциальная кривая взаимодействия.| Потенциальная кривая взаимодействия трех симметрично расположенных частиц. [18]

Нейман с сотрудниками, применяя нефелометрический и электронно-микроскопический методы для исследования кинетики к ойгуляции различных латексов под действием электролитов, показали, что коагуляция адсорбционно-насыщенных латексов протекает в две стадии. Первоначальные контакты между частицами возникают по незащищенным эмульгатором участкам поверхности, и адсорбционная насыщенность глобул увеличивается. В связи с этим, по мнению указанных авторов, возникает дополнительный потенциальный барьер, связанный со структурой и свойствами поверхностных насыщенных адсорбционно-гидратных слоев эмульгатора, что приводит к замедлению коагуляции - начинается ее вторая стадия. У адсорбционно-насыщенных латексов первая стадия коагуляции отсутствует. Обширные исследования в этой области позволили заключить, что агрегативная устойчивость синтетических латексов, полученных на ионоге нных эмульгаторах, определяется наличием и совместным действием двух защитных факторов: на первой стадии преимущественную роль играет ионно-электростатический фактор стабилизации, на второй - фактор, имеющий неэлектростатическую природу.  [19]

Так как q - Mtpn, то / 2 / i и возникает результирующий поток, направленный из полупроводника в металл. Направленный поток электронов приводит к образованию нескомпенсированных зарядов - отрицательного в металле и положительного в полупроводнике. Отрицательный заряд в металле препятствует переходу электронов из полупроводника в металл, так как электронам приходится преодолевать дополнительный потенциальный барьер Дер, созданный зарядом ранее перешедших из полупроводника в металл электронов.  [20]

При нормальном растворении ( участок АВ поляризационной кривой на рисунке 86, а) анод становится шероховатым, растравленным, покрытым шламом, остатками нерастворившегося металла. В области пассивации ( участки ВС н CD поляризационных кривых) при соответствующем составе электролита достигается полирующий эффект - поверхность металла становится гладкой, глянцевой. Полирование происходит в условиях, когда пассивная пленка тонка; она не прекращает растворение металла, а лишь создает дополнительный потенциальный барьер. В этих условиях выход катионов из кристаллической решетки перестает определяться их положением в ней, а становится следствием случайного появления в пленке на границе с металлом катионных вакансий, что и приводит к равномерному растворению металла.  [21]

Разность энергий у50Фм - х имеет особое значение, поскольку она представляет собой наинизший барьер, который электрон должен преодолеть в электроде, чтобы быть инжектированным в приповерхностную область диэлектрика. Совершенно аналогичное выражение описывает инжекцию дырок в диэлектрик, а именно р 0 1С - Фм, где p Q - наинизший барьер для инжекции дырки. Следует отметить, что валентный и вакуумный уровни и уровень проводимости изгибаются в одинаковой степени, так как разности энергий этих уровней определяются силами связи кристалла, которые не зависят существенно от присутствия небольшого макропотенциала. Электроны, инжектированные в приповерхностную область диэлектрика, должны преодолеть еще дополнительный потенциальный барьер для того, чтобы проникнуть в объем кристалла.  [22]

Органические вещества, прочно адсорбирующиеся на поверхности и тем самым мешающие протеканию на ней электрохимических процессов, как говорят, отравляющие поверхность, могут влиять на процессы электроосаждения тремя путями. Бывают случаи, когда при разряде металлических катионов ( например, цинка) присутствие адсорбирующихся соединений, например алифатических спиртов или четырехзамещенных аммониев [ 62, 63, 245J, вызывает уменьшение плотности тока в сотни и тысячи раз. Действие поверхностно-активных веществ, описанное в разделе 5, можно формально охарактеризовать тем, что они создают дополнительный потенциальный барьер внутри двойного электрического слоя. Адсорбция в этом случае существенно не меняет механизм разряда катионов. Второй путь влияния адсорбированного вещества заключается в появлении кажущегося предельного тока, обусловленного тем, что дополнительный энергетический барьер для прохождения ионов через адсорбционный слой в основном лежит вне двойного электрического слоя; поэтому повышение потенциала электрода не ускоряет прохождения ионов через барьер, пока не будет достигнут потенциал десорбции фдес. На свойства осаждающегося металла такая толстослойная адсорбция влияет путем огромного увеличения поляризации электрода при прохождении тока значительной плотности ( потенциал электрода повышается примерно на 1 в), в результате чего образование новых объемных зародышей кристаллов чрезвычайно облегчается и получается мелкокристаллический или даже неявнокристаллический осадок металла.  [23]

24 Катодная линза. [24]

Так как теперь объект является частью линзы и поле линзы резко обрывается вблизи катода, в этом случае понятие кардинальных элементов бесполезно. Вместо этого мы можем сделать предположение, что в непосредственной близости от катода поле однородно, следовательно, траектории всегда представляют собой параболы. Кроме того, ситуация осложняется тем, что отрицательный пространственный заряд медленных электронов на катоде создает дополнительный потенциальный барьер, который в свою очередь ограничивает ток ( см. гл. В результате строгое рассмотрение катодных линз и электронных пушек является весьма сложной задачей, даже если катод имеет плоскую поверхность.  [25]



Страницы:      1    2