Высокий потенциальный барьер

Cтраница 1

Высокие потенциальные барьеры на межкристаллитных границах чувствительны даже к очень слабым интенсивностям освещения, в то время как барьеры с малым значением Vdgbd практически не зависят от освещенности. [1]

Высокие потенциальные барьеры в координационных кристаллах, что при значительной зависимости ширины области гомогенности от температуры ( как следствие ходаО - кривой, рис. VII. [2]

Высокий потенциальный барьер коллектора практически исключает уход дырок из коллектора. Следовательно, ток через коллекторный переход будет обусловлен неуравновешенным потоком дырок из базы в коллектор. Токи / к и / б в этом случае невелики и, конечно, равны друг другу. Изменение смещения Ек не влияет на величину токов, если оно остается достаточно отрицательным, чтобы исключить уход дырок из потенциальной ямы коллектора. Экстракция дырок из базы через коллекторный переход создает отрицательный градиент концентрации их вдоль всей базы. В результате тот поток дырок из базы в эмиттер, который был в равновесном состоянии ( рис. 4 - 5, а), уменьшается и остается неуравновешенный поток достаточно энергичных дырок из эмиттера в базу. Соответственно в эмиттерном слое образуется отрицательный заряд, а в базовом слое такой же положительный заряд; энергетические уровни электронов в эмиттере повышаются, затрудняя переход дырок слева направо. Этот процесс продолжается до тех пор, пока потоки дырок из эмиттера и в эмиттер снова не уравновесятся. Тогда ток / 9 будет равен нулю, как и должно быть при оборванном эмиттере. [3]

Высокий потенциальный барьер коллектора практически исключает уход дырок из коллектора в базу. Следовательно, ток через коллекторный переход обусловлен неуравновешенным потоком дырок из базы в коллектор. Экстракция дырок из базы через коллекторный переход создает отрицательный градиент их концентрации вдоль базы в сторону коллектора. В результате уменьшается тот поток дырок из базы в эмиттер, который был в равновесном состоянии ( рис. 4 - 5, а), и встречный поток дырок из эмиттера в базу оказывается неуравновешенным. Это вызывает накопление положительного заряда в базе, а в эмиттере образуется такой же отрицательный заряд. Соответственно несколько возрастает разность потенциалов на эмиттерном переходе, так что поток дырок из эмиттера уменьшается и в конце концов снова становится равным потоку дырок из базы. Тогда ток /, делается равным нулю, как и должно быть при оборванном эмиттере. [4]

Этот высокий потенциальный барьер может быть обусловлен деструкцией поверхности германия. [5]

Еще более высокий потенциальный барьер - порядка 100 ккал / г-ат - препятствует переходу термодинамически неустойчивого алмаза в устойчивый графит при комнатной температуре и Р 1 атм. Само же уменьшение стандартной энтальпии системы при этом переходе очень мало, примерно 0 5 ккал / г-ат. [6]

Схема включения транзистора в электрическую цепь и распределение потенциалов в переходах. а - транзистор в отключенном состоянии. б - транзистор включен в цепь. [7]

N препятствуют высокие потенциальные барьеры. Если теперь подать на базовый электрод управляющее напряжение Uy с полярностью, показанной на рис. 18 - 12 6, то благодаря снижению левого потенциального барьера в цепи эмиттер-база будет протекать ток, обусловленный движением электронов через эмиттер в базу и дырок через базу в эмиттер. [8]

Поскольку рассматривается высокий потенциальный барьер, уместно допустить, что это соотношение между плотностью вероятности w, потенциалом и потоком вероятности / в, которое соблюдается для стационарного состояния, сохраняется и в том случае, когда функция w достаточно медленно меняется со временем. Тогда 2 / в даст нам вероятность того, что частица покинет потенциальную яму за единицу времени через правый или левый потенциальный барьер. [9]

В случае достаточно высокого потенциального барьера в окрестности точки х 0 следует ожидать раст пределение плотности вероятности, близкое к равновесной. [10]

Ортогональные р - и d - ороитали, для которых невозможно л-пе. [11]

Двойные связи имеют более высокий потенциальный барьер вращения, и для их вращения необходима повышенная температура. Поэтому при температуре окружающей среды можно выделить геометрические цис - и гронс-изомеры. [12]

Эта реакция из-за высокого потенциального барьера для выбрасывания а-частиц практически осуществляется только с нейтронами высокой энергии. [13]

Если на границе раздела существует высокий потенциальный барьер, который не позволяет электронам приближаться к диэлектрику, то в первом приближении можно потребовать, чтобы огибающая волновая функция электрона на границе раздела равнялась нулю. [14]

Поворотные изомеры полиэтилена.| Поворотные изомеры полиизобутилена. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5