Высокий потенциальный барьер

Cтраница 4

Кривая растяжения аморфного полимера в стеклообразном состоянии ( вынужденная эластичность. [46]

Необратимость этой деформации после снятия нагрузки обусловлена тем, что возвращение молекул в исходное со-сто яние требует преодоления столь высокого потенциального барьера [ /, что практически происходить не может. Только при повышении температуры, когда полимер переходит в выокоэластическое состояние, вынужденноэластическая деформация снимается Полностью и образец возвращается к исходному размеру. [47]

Говоря о жесткоцепных полимерах, имеют в виду те полимеры, жесткость молекул которых обусловлена их строением, обеспечивающим высокие потенциальные барьеры перехода из одного взаимного положения соседних звеньев в другое. [48]

Рекомбинационно-генерационный процесс в обедненном слое гетероперехода при отсутствии освещения и прямом напряжении смещения ( в. модель Доле-га, описывающая протекание тока в структурах с анизотипным ( б и изотопным ( в гетеропереходами. процессы протекания тока, ограниченные рекомбинацией носителей на границе раздела в гетеропереходе CuxS - CdS ( г и в структуре, соответствующей наиболее общему случаю ( д. [49]

В типичных солнечных элементах с гетеропереходом рекомбинационно-генерационный процесс, по-видимому, преобладает в обедненном слое узкозонного полупроводника из-за наличия высокого потенциального барьера, препятствующего инжекции неосновных носителей заряда в широкозонный материал. [50]

Требуемый для этого избыток энергии в случае тяжелых ядер должен быть довольно большим, так как здесь заряженная частица должна преодолеть очень высокий потенциальный барьер. Но оба эти типа превращений наблюдаются даже на самых тяжелых ядрах при энергиях нейтронов от 10 до 20 MeV. В этой области энергий эффективные сечения для таких реакций резко растут. Ядро, образующееся при ( п р) - превращении, изобарно исходному и имеет заряд, меньший на единицу. Однако два соседних изобара не могут быть стабильными. Изобар с большей энергией должен перейти в изобар с меньшей энергией путем либо р-излучения, либо / - захвата, либо испускания позитрона. Следовательно, в результате рассматриваемого превращения всегда образуется радиоактивное ядро, обычно р-излучатель, превращающийся затем в первоначальное с выбрасыванием одного электрона. Как было сказано раньше, энергетический эффект реакции типа ( п, р) всегда меньше, чем 0 78 MeV; во многих случаях он отрицателен. [51]

Кривые распределения числа дислокационных источников по напряжению старта в отожженном ( а, деформированном ( б и состаренном ( в состояниях ( схема.| Зависимость длины площадки текучести низкоуглеродистых сталей в деформационно-состаренном состоянии ( / д с от длины площадки текучести в исходном состоянии ( W по данным 2. [52]

Таким образом, блокирование дислокаций в процессе старения создает условия для практически одновременной работы большинства дислокационных источников, создавая, следовательно, такой высокий потенциальный барьер для их работы, что влияние концентраторов напряжений, неоднородности микронапряжений, фактора ориентации оказывается превзойденным. [53]

Семейство коллекторных характеристик биполярного транзистора.| Семейство эмиттерных характеристик биполярного транзистора. [54]

Как видно из рис. 2.8, г, ток коллектора обусловлен только электронами, так как дырки не могут перейти из базы в коллектор через высокий потенциальный барьер, а внутри коллекторной области концентрация дырок ничтожна мала. Кроме того, из этого же рисунка видно, что ток эмиттера обусловлен обоими типами подвижных носителей заряда. [55]

Будем считать, что ток коллектора обусловлен только дырками, доходящими от эмиттера, так как потоки электронов из базы и дырок из коллектора предотвращаются высоким потенциальным барьером в коллекторном переходе ( см. рис. 4 - 5, г), а поток электронов из коллектора малосуществен, поскольку коллекторный слой - дырочный и концентрация электронов в нем невелика. Что касается тока эмиттера, то он, вообще говоря, обусловлен обоими типами носителей. [56]

Сущность этого явления заключается в том, что под действием сильного электрического поля электроны могут освободиться из ковалентных связей и получить энергию, достаточную для преодоления высокого потенциального барьера в области р-п перехода. Двигаясь с большей скоростью на участке р-п перехода, электроны сталкиваются с нейтральными атомами и ионизируют их. В ре зультате такой ударной ионизации появляются новые свободные электроны и дырки, которые, в свою очередь, разгоняются полем и создают всевозрастающее количество носителей тока. Описанный процесс носит лавинообразный характер и приводит к значительному увеличению обратного тока через р-п переход. Таким образом, чрезмерно увеличивать обратное напряжение нельзя. [57]

Обратим внимание на то, что аморфные вещества, как и кристаллы, имеют огромное количество близких состояний, между которыми, однако, как и в молекулах, существуют высокие потенциальные барьеры. Таким образом, электронные структуры аморфных веществ занимают промежуточное положение между электронными структурами кристалла и молекулы. [58]

Фазовый переход графита в алмаз, который, как показал О. И. Лейпунский, может совершаться только при температуре не ниже 1000 С и давлении не ниже 40 кбар, связан с преодолением высокого потенциального барьера. Высота этого барьера определяется энергией разрыва связей в шестичленном углеродном кольце. Его разность с уровнем энергии образования графита составляет 170 ккал / моль. Синтез графита при пиролизе метана связан с преодолением высокого потенциального барьера с немедленным спуском на уровень энергии образования графита. [59]

Ясно, что этот путь реакции соответствует реакции цис-транс-изомеризацкк соединений, относящихся к группе веществ с низкой энергией активации и с малым частотным фактором, тогда как у веществ, принадлежащих ко второй группе с нормальным частотным фактором, реакция проходит по второму пути, при котором молекула все время остается в синглетном состоянии и преодолевает высокий потенциальный барьер. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5