Высокий барьер

Cтраница 2

Энергетическое состояние экзотермической реакции окисления аммиака. [16]

Гомогенное окисление аммиака требует преодоления наиболее высокого барьера активации. [17]

Рассматриваемый нами потенциальный ящик с бесконечно высоким барьером на границах более прост, чем ящик для электрона в металле. [18]

Скелет триптицена весьма удобен для получения высоких барьеров: в основном состоянии лопасти вращающейся группы помещаются между бензольными кольцами без особых стерических затруднений, в переходном же состоянии стерические препятствия очень сильны. [19]

Относительная конфигурациоииая стабильность циклопропильного радикала объясняется относительно высоким барьером инверсии пирамидальной структуры ( как и в циклопропильном анноне, см. гл. [20]

Относительная конфигурационная стабильность циклопропиль-ного радикала объясняется относительно высоким барьером инверсии пирамидальной структуры ( как и в циклопропильном анионе, см. гл. [21]

Согласно этому уравнению, G мала для высокого барьера и для тяжелых частиц; она становится равной х / 2 при Е V0 и стремится к единице, когда ( Е - F0) - у сю. При температурах, отличных от абсолютного нуля, следует учитывать, что проникающие через барьер частицы могут иметь целый набор энергий. [22]

В настоящее время имеется много доказательств существования высокого барьера для вращения вокруг связи С-N в амидах. В частности, одним из них следует рассматривать проявляющуюся в спектре ПНР диметилформамида неэквивалентность двух метильных групп. [23]

Такая резкая зависимость означает, что при высоких барьерах туннелирование практически не наблюдается. [24]

При сравнительно глубоком вторичном энергетическом минимуме и высоком барьере отталкивания частицы быстро фло-кулируют, обусловливая образование коагуляционных структур. Последние при низких напряжениях сдвига обнаруживают ползучесть. Под влиянием интенсивных механических воздействий они разрушаются, переходя в легкотекучее состояние, характеризующееся постоянной вязкостью. После снятия внешней нагрузки происходит восстановление связей между частицами системы. Таким образом, коагуляционные структуры могут проявлять склонность к тиксотропным превращениям. Поскольку прочность связи частиц определяется глубиной и координатой вторичного минимума, свойства таких систем существенно зависят от концентрации электролита в дисперсионной среде. [25]

Как для I, так и для III высокий барьер для циклораскрытия обусловлен аномальным орбитальным пересечением. Это мешает молекуле достичь минимума на Si-энергетической поверхности для перициклического процесса. Действительно, было показано [ 22, 231, что синглетные состояния для обоих соединений нереакционноспособны. Принимая планарную форму для нижних триплетных состояний, как и в случае триплетных состояний других больших ароматических молекул ( но в отличие от триплетных состояний ненасыщенных молекул с концевыми метилено-выми группами), и рассматривая геометрические напряжения, присущие этим молекулам, можно сделать следующий вывод: реакция в триплетном состоянии, в котором молекула не прошла бы через воронку перициклического процесса, а достигла бы S0 поверхности за счет эффективно протекающего интеркомбинационного превращения ( малая разность энергий) после достижения нижнего три-плетного состояния продукта, также запрещена. Действительно, нижние триплеты в обоих соединениях, I и III, нереакционноспособны. [26]

Переходное состояние.| Переходное состояние реакции триплетного карбена с цис-бутеном-2. [27]

Существенным является то, что переходное состояние реакции имеет высокий барьер активации для внутреннего вращения вокруг С-С - связи и низкий активационный барьер для замыкания трехчленного кольца. [28]

Соотношение (V.23) применимо, строго говоря, для случая достаточно высоких барьеров. [29]

При низких напряжениях процесс проводимости определяется электродами, благодаря высокому барьеру катод - диэлектрик и ограничен термическим перебросом электронов из катода через барьер. Для такого процесса [ см. ( 39) ] ток является медленно меняющейся функцией приложенного напряжения и для барьеров выше 0 5 эВ будет очень малым. [30]

Страницы: 1 2 3 4