Высокий энергетический барьер

Cтраница 3

Естественно, что полная скорость реакции будет лимитироваться той CKOJ-ростью, с которой молекулы преодолевают самый высокий энергетический барьер. [31]

Пассивность окиси азота в качестве окислителя была объяснена [104] трудностью раскисления связанного азота, что обусловлено необходимостью преодоления высокого энергетического барьера в реакциях, связанных с образованием атомарного азота. Высота барьера определяется большим энергосодержанием атомарного азота: энергия диссоциации азота на атомы в 1 9 - 2 2 раза больше, чем кислорода и водорода. Поэтому в процессах раскисления атомарный азот не образуется, и механизм реакции должен включать элементарную стадию, в которой участвуют две молекулы, содержащие атом азота. Подобные реакции требуют заметной энергии активации. Так, при взаимодействии NO H2 скорость процесса определяется элементарной реакцией HNO - bNO [104], для которой - по оценкам [260] Л 109 кДж / моль. [32]

Пассивность окиси азота в качестве окислителя была объяснена [104] трудностью раскисления связанного азота, что обусловлено необходимостью преодоления высокого энергетического барьера в реакциях, связанных с образованием атомарного азота. Высота барьера определяется большим энергосодержанием атомарного азота: энергия диссоциации азота на атомы в 1 9 - 2 2 раза больше, чем кислорода и водорода. Поэтому в процессах раскисления атомарный азот не образуется, и механизм реакции должен включать элементарную стадию, в которой участвуют две молекулы, содержащие атом азота. Подобные реакции требуют заметной энергии активации. Так, при взаимодействии NO H2 скорость лроцесса определяется элементарной реакцией HNO NO [104], для которой тю оценкам [260] А 109 кДж / моль. [33]

Пассивность окиси азота в качестве окислителя была объяснена [104] трудностью раскисления связанного азота, что обусловлено необходимостью преодоления высокого энергетического барьера в реакциях, связанных с образованием атомарного азота. Высота барьера определяется большим энергосодержанием атомарного азота: энергия диссоциации азота на атомы в 1 9 - 2 2 раза больше, чем кислорода и водорода. Поэтому в процессах раскисления атомарный азот не образуется, и механизм реакции должен включать элементарную стадию, в которой участвуют две молекулы, содержащие атом азота. Подобные реакции требуют заметной энергии активации. Так, при взаимодействии NO H2 скорость процесса определяется элементарной реакцией HNO NO [104], для которой по оценкам [260] Л 109 кДж / моль. [34]

Наиболее устойчивым при данных внешних условиях является другое состояние системы, для достижения которого требуется преодоление более или менее высокого энергетического барьера. Можно представить себе, что в простейшем случае при данных условиях соответствующая термодинамическая функция Е каждой частицы системы имеет график, показанный на рис. 18.68, а; в роли функции Е выступает свободная энергия, если заданы температура и объем системы, или термодинамический потенциал, если заданы температура и давление. [35]

Таким образом, из рассмотренных возможных случаев взаимодействия частиц следует, что дисперсная система агрегативно устойчива только при высоком энергетическом барьере сил отталкивания. Поэтому все те факторы, которые снижают величину энергетического барьера Д ( Уб, неизбежно понижают агрегативную устойчивость системы. [36]

Зависимость поляризации Р от напряженности поля Еп для в ориентированной ПВДФ-пленки. ( Измерение Еп при 104 Гц, измерение Р при 25 Гц. [37]

Перестройка а-формы в р происходит, как известно, в результате механической вытяжки и, по-видимому, не требует преодоления особо высокого энергетического барьера. [38]

Превращение кубооктаэдра ( а в икосаэдр ( б. [39]

И хотя некоторые из изомеров оказываются стабильнее других, переход системы в состояние с наименьшей потенциальной энергией может быть затруднен высокими энергетическими барьерами. [40]

Коагуляция возможна и в области второго ( дальнего) энергетического минимума, если этот минимум достаточно глубок и за ним следует высокий энергетический барьер. [41]

Энергетические зоны диэлектрика ( а, полупроводника ( б и металла ( в. [42]

Способность хорошо проводить электрический ток при подведении невысокой разности потенциалов проявляется только при условии, что перемещение электронов не требует преодоления высоких энергетических барьеров. Если в кристалле имеются энергетически далекие друг от друга заполненные и свободные зоны, то переход электронов из нижележащей заполненной в вышележащую свободную зону возможен только при очень высокой разности потенциалов. [43]

Это указывает на то, что требуемые фазовые изменения не могут происходить непрерывно и что для реакции ( 21) должен существовать высокий энергетический барьер. [44]

Сегнетоэлектрическими свойствами обладают такие кристаллы, которым свойствен переход от непироэлектрической модификации путем фазового перехода второго рода ( точка Кюри) без преодоления высоких энергетических барьеров. [45]

Страницы: 1 2 3 4