Определенный энергетический барьер

Cтраница 3

Иными словами, для течения реакции необходимо, чтобы исходные вещества преодолели определенный энергетический барьер. [31]

Изменения потенциальной энергии иона при пере. [32]

Такие же положении с такой же энергией имеются и в соседних ячейках. Однако для того чтобы перейти из одной ячейки в другую и принять таким образом участие в токе, ион должен каждый раз преодолеть определенный энергетический барьер, протискиваясь между структурными элементами тела и проходя через промежуточные положения, где энергия иона окажется повышенной еще на ы эл. Эту добавочную энергию м ион получает за счет флуктуации теплового движения. [33]

Изменения потенциальной энергии иона при переходе его в междоузлие кристаллической решетки ( образование дефектов по Я. И. Френкелю. [34]

Такие же положения с такой же энергией имеются и в соседних ячейках. Однако каждый раз, для того чтобы перейти из одной ячейки в другую и принять таким образом участие в токе, ион должен преодолеть определенный энергетический барьер, протискиваясь между структурными элементами тела и проходя через промежуточные положения, где энергия иона окажется повышенной еще на ы эл. [35]

Так же и в твердом полупроводнике рекомбинацией заканчивается, по-видимому, лишь небольшая доля встреч электрона с дыркой или локализованного иона с подвижным носителем тока. Изучение механизма фотопроводимости приводит к заключению, что вероятность рекомбинации иногда сильно возрастает с ростом температуры, а это значит, что для рекомбинации требуется преодолеть определенный энергетический барьер. Только для F-центров, как показал С. И. Пекар, каждая встреча с поляроном ведет к рекомбинации. [36]

На рис. 1.18 показана зависимость размерности самосогласованности DS плоского фрактального кластера от его радиуса в процессе его роста. При равновесных условиях дальнейший рост кластера принципиально возможен. Значение Dsl при этом будет являться всего лишь определенным энергетическим барьером, который связан с соотношением структурных характеристик площади и периметра кластера. В условиях, далеких от равновесия, преодоление этого барьера невозможно. [38]

Движение краевой дислокации в плоскости частичного сдвига кинематически возможно и без влияния диффузии точечных дефектов. Эта плоскость называется плоскостью скольжения и обычно совпадает с плоскостями наиболее плотной упаковки атомов в кристаллической решетке. Перемещение дислокации из одного устойчивого положения в другое связано с преодолением определенного энергетического барьера. [39]

Это важное уравнение, открытое опытным путем, носит название уравнения Аррениуса. Она представляет собой разницу между средней кинетической энергией поступательного движения молекул и той энергией, которая необходима для того, чтобы столкновение привело к элементарному акту реакции. Таким образом, для того чтобы реакция осуществилась, реагирующие вещества должны преодолеть определенный энергетический барьер. [40]

Зависимость логарифма константы скорости химической реакции. [41]

Безусловно, скорость химической реакции зависит от числа столкновений молекул реагирующих веществ. Но не всякое столкновение приводит к протеканию реакции. Образование продуктов реакции происходит лишь при столкновении активных молекул, т.е. молекул, обладающих энергией выше определенного энергетического барьера. При любой заданной температуре молекулы обладают различными энергиями. Существует распределение молекул по энергиям. [42]

В общем случае механизм роста грани кристалла, согласно моле-кулярно-кинетической теории, может быть представлен следующим образом. Возникновение этого зародыша связано с преодолением определенного энергетического барьера. Далее вокруг зародыша происходит последовательное присоединение частиц в виде рядов, что также связано с преодолением определенного энергетического барьера, но значительно меньшего, чем при образовании двухмерного зародыша. Такое присоединение частиц происходит до тех пор, пока не будет заполнен весь данный слой. [43]

Если посмотреть на мицеллообразование с кинетической точки зрения, то также видна важность достижения определенной концентрации ПАВ. Мицелла состоит, по крайней мере, из десятков молекул и, чтобы она образовалась, необходимо или одновременное столкновение такого числа молекул или, что более реально, постепенный рост молекулярного агрегата путем последовательных столкновений. Вероятность обоих этих событий возрастает с увеличением концентрации ПАВ в растворе. Существенным моментом является то, что когда образование мицелл становится практически возможным, образование их предшественников - более мелких промежуточных агрегатов термодинамически менее выгодно и, следовательно, они возникают и увеличиваются в размере путем флуктуации, как в обычных фазовых переходах. Это значит, что мицеллообразование является активированным кинетическим процессом, в котором роль энергии активации играет максимальная работа образования промежуточных молекулярных ( ионных) агрегатов. Поскольку мицеллообразование характеризуется определенным энергетическим барьером, то, как и в обычных фазовых процессах, в принципе, может существовать состояние пересыщения раствора ПАВ по отношению к мицеллообразованию. [44]

Результаты, полученные Морином для N10 и Fe20g, представляют для нас особый инт лес: здесь вычисленное значение ft оказывается порядка 0.004 см3 - в 1-сек. В этих несовершенных кристаллах величина подвижности свободных зарядов не просто мала: она также указывает на необычную зависимость от температуры. Как правило, тепловое движение увеличивает рассеяние заряженных носителей и уменьшает их подвижность с ростом температуры. В этих полупроводниках, однако, подвижность растет с температурой. Тепловое движение увеличивает вероятность переходов зарядов от одного иона кристалла к другому. Вероятность перехода, для осуществления которого необходимо преодолеть определенный энергетический барьер, пропорциональна ехр ( - EfkT); необходимая для перехода энергия черпается из энергии теплового движения. [45]

Страницы: 1 2 3 4