Cтраница 4
Результаты, полученные Морином для N10 и Fe203, представляют для нас особый интерес: здесь вычисленное значение р оказывается порядка 0.004 см2 - в 1-сек. В этих несовершенных кристаллах величина подвижности свободных зарядов не просто мала: она также указывает на необычную зависимость от температуры. Как правило, тепловое движение увеличивает рассеяние заряженных носителей и уменьшает их подвижность с ростом температуры. В этих полупроводниках, однако, подвижность растет с температурой. Тепловое движение увеличивает вероятность переходов зарядов от одного иона кристалла к другому. Вероятность перехода, для осуществления которого необходимо преодолеть определенный энергетический барьер Е, пропорциональна ехр ( - E / kT); необходимая для перехода энергия черпается из энергии теплового движения. [46]
Нальем в чайник главную жидкость планеты - воду - и поставим его на плиту - газовую, электрическую или топящуюся дровами. Вода в чайнике начнет нагреваться, температура будет повышаться, но ничего качественно нового мы не увидим вплоть до 100 С, - именно при этой температуре вода кипит при нормальном атмосферном давлении; при уменьшении давления ( например, высоко в горах) вода в чайнике закипит при меньшей температуре. Возможен и незначительный перегрев воды, поскольку нужно появление пузырьков, ведь кипение - это процесс парообразования, включающий рождение пузырьков пара, их рост, движение и взаимодействие. Но обычно в чайниках и самоварах уже имеются готовые пузырьки нерастворенного воздуха на не полностью смоченных водой стенках ( островки Френкеля) ив микротрещинах. К этим источникам пузырьков добавляются зоны предпочтительного образования пузырьков со спонтанным флуктуационным механизмом их зарождения после достижения определенного энергетического барьера. На зародившийся пузырек, наполненный водяным паром, буквально накидываются несколько разных давлений - лапласовское, внешнее атмосферное, гидростатическое. Все они сжимают пузырек, а им противится собственное давление заключенного в нем пара с давлением постороннего газа, который мог быть в пузырьке. Кипение бывает поверхностное и объемное. [47]