Монокристалл - соединение
Cтраница 1
Монокристаллы соединений л в У получают методом Бриджмена - Строк-баргера, используя большое количество расплава. [1]
Монокристаллы соединений A1VBVI получают кристаллизацией из расплавов и из газовой фазы. В первом случае применяют методы Бриджмена и Чохральского. Последний способ устраняет сильные внутренние напряжения в кристаллах AIVBVI, полученных направленной кристаллизацией. Но при вытягивании монокристаллов из расплавов по Чохральскому необходимо бороться с высокими упру-гостями паров халькогенов. [2]
Монокристаллы соединений А В получают направленной кристаллизацией по Бриджмену. Для предотвращения потерь летучих компонентов свободную часть ампулы заполняют благородным газом или водородом. Монокристаллы менее летучих соединений, например Bi2Te3, можно получить вытягиванием по Чохральскому, если предварительно камеру заполнить водородом под давлением. [3]
 |
Диаграмма состояния-системы Zn-Те. [4] |
Монокристаллы соединений AnBVI получают в основном двумя способами: кристаллизацией из расплавов и выращиванием из паровой фазы. Каждому из этих методов присущи свои преимущества и недостатки ( см. гл. Выращивают также монокристаллы AnBVI из нестехиометрических расплавов с избытком металла подгруппы цинка или из расплавов других металлов и солей. [5]
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов селенида свинца в равновесных. [6] |
Выращивание монокристаллов соединений переменного состава i - y из пара в равновесных условиях. Исследование равновесных составов полупроводниковых соединений переменного состава легче всего осуществить на поликристаллических образцах, когда отношение величины поверхности к объему достаточно велико, а значит достаточна и скорость реакции выравнивания состава. В случае монокристаллов условия менее благоприятны. [7]
Технология выращивания монокристаллов соединений A BVI разработана гораздо менее полно, чем технология полупроводников типа A BV. Широкозонные полупроводники A BVI представляют собой в технологическом отношении трудные объекты, так как обладают высокими температурами плавления и высокими давлениями диссоциации в точке плавления. Выращивание таких материалов в большинстве случаев осуществляется перекристаллизацией предварительно синтезированного соединения через паровую фазу в запаянных кварцевых ампулах. Применяют соединения A BVI в большинстве случаев для создания промышленных люминофоров, фоторезисторов, высокочувствительных датчиков Холла и приемников далекого инфракрасного излучения. [8]
 |
Основные характеристики материалов A BV для фотоприемников. [9] |
При изготовлении монокристаллов соединений AlnBv основной является операция синтеза. Под синтезом понимают химическую реакцию, в ходе которой из исходных веществ образуется полупроводниковое химическое соединение. В зависимости от состояния исходных веществ методы синтеза подразделяют на прямые и косвенные. При прямом синтезе исходные вещества являются компонентами синтезируемого соединения. При косвенном синтезе хотя бы одно из исходных веществ представляет собой химическое соединение. Синтезируемый материал выделяется при прямом синтезе обычно в результате процесса направленной кристаллизации расплава, позволяющего получать конечный продукт в виде крупных объемных кристаллов. В методах косвенного синтеза широко используются газотранспортные реакции, лежащие в основе получения эпитаксиальных слоев. [10]
Коррозионную стойкость монокристаллов соединения InSb п-типа в Юн. НМОз - в [206], монокристаллов в солянокислых растворах хлорида железа и иода, а также в НМОз - в [207], монокристаллов п - и р-типа в 1 2 - 4 и 3 - Юн. НМОз составляет 35 4 и 36 3 и в Юн. [11]
Для выращивания монокристаллов соединений класса AnBVI и некоторых других классов при относительно низкой температуре весьма удобен метод транспортных химических реакций. [13]
Поликристаллические слитки и монокристаллы соединений В Х С з, Bi On и Bi ] 2P2O23 были приготовлены медленным охлаждением расплавов и с помощью твердофазных реакций. [14]
Технология синтеза и выращивания монокристаллов соединений AII [ BV с заданными электрофизическими параметрами значительно сложнее, чем технология изготовления монокристаллов Ge и Si. С чисто технологической точки зрения особые трудности возникают вследствие того, что эти соединения образованы парой элементов, один из которых ( элемент V группы) характеризуется значительной летучестью. Давление паров As, Sb, P в зависимости от температуры представлено на рис. 10.1. Синтез соединений сопряжен с необходимостью принятия специальных мер по управлению давлением пара этих элементов при температурах синтеза. [15]
Страницы: 1 2 3