Монокристалл - соединение
Cтраница 2
На основе тонких пленок монокристаллов соединений типа АШВУ создают полевые транзисторы, смешанные диоды, свето-диоды, фотокатоды, лазерные диоды и другие приборы. Арсенид галлия занимает ведущее положение среди бинарных соединений, пригодных для изготовления солнечных батарей. Вероятно, что к началу 90 - х годов элементы солнечных батарей для космического использования будут изготовлять на основе арсенида галлия. [16]
 |
Диаграмма состояния системы. [17] |
Кестигиан с сотрудниками [2] получили монокристаллы соединения K4Nbe017 ( 2K20 - 3Nb205) и высказали предположение о том, что они относятся к моноклинной сингонии. [18]
Очень распространены контейнерные схемы выращивания монокристаллов соединений переменного состава ( рис. VIII. В камеру помещается монокристаллическая затравка или она сама образуется при медленном перемещении паров к несколько менее нагретым точкам. При этом разность температур зоны испарения и зоны роста может составлять всего несколько градусов. Впуском ( допустим, при выращивании карбида кремния) газов ( например, азота) или паров ( например, бора) можно осуществлять легирование монокристаллов одновременно с их ростом. В советских работах по получению карбида кремния этим путей, например в [87], [88], [89], были получены интересные результаты благодаря тщательному установлению точного аппаратурного режима и созданию надежного оборудования, которое, как видно из рис. VIII. [19]
Методом химичес ких транспортных реакций выращены монокристаллы соединений In2Sa, CdIn2S1, CiiIn5S, AgInsS8H твердых растворов на их основе. Изучена кинетика переноса этих соединений. [20]
Методы синтеза, очистки и выращивания монокристаллов соединений Аш Bv основаны на кристаллизации из расплава. Поэтому технология получения AUIBV в значительной мере определяется равнр-весным общим давлением пара над этими соединениями при температуре их плавления. Если для антимонида индия указанная упругость пара оценивается порядком 10 - 5 атм, то фосфид индия при температуре плавления имеет равновесное давление пара около 25 атм. Технология получения фосфидов сложнее по сравнению с получением антимонидов независимо от природы катионообразователя. Арсениды занимают промежуточное положение. [21]
Одним из широко используемых методов выявления дислокаций в монокристаллах соединений A Bv является метод избирательного химического травления поверхности и подсчет ямок травления. Ямки травления появляются преимущественно в тех местах поверхности, где оканчиваются дислокации. [22]
Преимуществом метода порошка является также отсутствие необходимости выращивать и ориентировать монокристаллы соединения, простота устройства рентгеновских камер, относительная несложность необходимых расчетных операций, сводящихся к нахождению списка d / n и оценке интенсивности линий дебаеграммы. [23]
Как и для кремния, эффективным способом повышения структурного совершенства монокристаллов соединений, содержащих ростовые микродефекты, является термообработка вырезаемых из таких слитков пластин. В данном случае для контролируемой инжекции в объеме пластины тех или иных вакансий или межузельных атомов может быть использован высокотемпературный отжиг в вакууме, атмосфере водорода или очищенных газов, а также в атмосфере паров летучего компонента соответствующего соединения. [24]
На основании полученных данных избраны составы расплавов, пригодные для выращивания монокристаллов соединения титанатовольф-рамата свинца, что позволило получить монокристаллы и определить состав и структуру упомянутого соединения. [25]
Влияние многократной ионизации на условия внутреннего равновесия, очевидно, должно сказаться и на возможности легирования монокристаллов соединений с отклонениями от стехиометрии. [26]
Систематическое изложение проведенных автором исследований и их обобщение в одной работе представляется нам целесообразным в связи с все более возрастающим научным и практическим интересом, который представляют монокристаллы щелочнс-гало-идных соединений. Эти соединения играют особую роль в изучении гетерополярных кристаллов и в выяснении самых разнообразных процессов, происходящих в диэлектриках и полупроводниках. [27]
 |
Схема установки ДТА с контролируемым давлением пара летучего компонента. [28] |
Большую информацию о фазовых превращениях в системе представляет анализ Р - Т - проекции, Кривая моновариантного равновесия ( СиР2 L G) на Р - Т - проекции позволяет выбрать оптимальное сочетание параметров ( температуры и давления), при котором можно выращивать монокристаллы соединения из расплава, представляющего собой раствор СиР2 как в летучем, так и в нелетучем компоненте. Точка N ( рис. 20, б) соответствует четырехфазно-му равновесию эвтектики ( CuP2 Cu3P) с расплавом и паром, и из нее должны выходить четыре линии трехфазного равновесия. Одна из них - равновесие СиР2 L G, вторая соответствует равновесию кристаллов Си3Р с жидкостью и паром, третья является линией трехфазного равновесия эвтектики ( Cu3P CuP2) со своим паром. [29]
Диаграмма состояния системы не построена. Монокристаллы соединения 2CdO Si02 получены действием паров окиси кадмия на аморфный кремнезем при давлении 200 - 300 атм. [30]
Страницы: 1 2 3